Транзисторы для электронных компонентов. Страница 8

• Биполярные NPN
• Infineon
• SOT-23
• 100 MHz
• 65 V
• 80 V
• 0.1 A
• 450
• SMD

• Полевые N-канальные
• Harris
• TO-220
• 60 V
• THT
• 50 A

• Полевые N-канальные
• On
• D-Pak (TO-252)
• 60 V
• SMD
• 20 A
• 675

• Биполярные PNP
• NEC
• TO-126
• 80 MHz
• 30 V
• 40 V
• 0.125
• 400

• Полевые P-канальные
• On
• TO-251
• 60 V
• THT
• 7.6 A
• 690

• Полевые N-канальные
• ST
• TO-220FP
• 600 V
• THT
• 0.25
• 905

• Другое

Примечание: Тип канала N | Напряжение пробоя сток-исток (Ubrdss), В 600 | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А 9 | Максимальный ток...

• 350..470
• 2 A
• 0,3 Вт
• 40 V
• 40 V
• 5 V
• Nexperia
• Биполярные NPN
• 230 МГц

• 0.1 A
• 80 V
• 65 V
• Diotec
• Биполярные NPN
• 100 МГц

• 110..800
• 0,1 A
• 0,625 Вт
• 50 V
• 45 V
• 6 V
• Luguang Electronic
• Биполярные NPN
• 150 МГц

• 100..300
• 0.8 A
• 0,625 Вт
• 60 V
• 60 V
• 5 V
• Биполярные PNP
• 200 МГц

• 0.83
• 60 В
• 20 В
• On Semiconductor

• IGBT
• MASPOWER

• IGBT
• STARPOWER
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 50 А
• 672 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 0.37 uC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 172ns | ...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 34,5 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 18ns | ...

• Биполярные NPN
• Не указан
• THT
• TO-92MOD
• 50 V
• 2 А
• 70
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 30 А
• 38 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 25 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 32ns | ...

• Биполярные NPN
• Isc
• THT
• TO-3PN
• 400 V
• 12 А
• 5
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 30 А
• 120 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 0.30us | Время выключения:...

• Биполярные NPN
• MDD
• SMD
• SOT23
• -55...+150°C

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 650 V
• 100 А
• 235 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 148 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 45ns | ...

• IGBT
• Silan Microelectronics
• THT
• TO-247
• 600 V
• 40 А
• 46 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 52 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 55ns | ...

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 60 V
• 10 А
• 20
• -55…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 70