Транзисторы для электронных компонентов

• AOS
• DFN3x3
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 20 A
• 5 mOhm
• 3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 1037 pF / 15 V | Заряд затвора: 22 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• D-Pak
• SMD
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 30 В
• 17 A
• 165 mOhm
• 3 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 910 pF / 25 V | Заряд затвора: 41 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• On Semiconductor
• Полевые P-канальные
• 2,5 A
• 60 В
• 3 W
• 20 В
• 15 A

• Vishay Intertechnology, Inc.
• SO8
• Полевые N-канальные
• 150 V
• 20 V
• 3.7 А
• 3 А
• min 2 V
• 3 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• TO-92
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 V
• 0.5 А
• 0.32 А
• 3 ... 4.5 V
• 3.75 V
• 3 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• International Rectifier
• SO8
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 12 V
• 13.3 А
• 14.6 А
• 7 мОм
• min 1 V
• 3 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Alpha&Omega
• SO8
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 V
• -6 А
• -5.1 А
• 40 мОм
• 65 мОм
• -1 ... -3 V
• -1.8 V
• 3 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
• TO-252-4L
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 V
• 12 / -8.8 А
• 8 / -5.8 А
• 26 / 47 мОм
• 39 / 76 мОм
• 1.7 ... 3 V
• 3 W

Примечание: Схема соединения: Общий сток

• VISH/IR
• TO-263(D2PAK)
• SMD
• Полевые P-канальные
• 200 V
• 20 В
• 11 A
• 500 mOhm
• 3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1200 pF / 25 V | Заряд затвора: 44 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TOS
• SOT89
• SMD
• Полевые N-канальные
• 10 В
• 4 Ohm
• 3 W
• -45…+150°C

Примечание: Ёмкость затвора: 12.5 pF / 7.2 V

• TOS
• SOT89
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 25 В
• 1 A
• 3 Ohm
• 3 W
• …+150°C

• TI
• VSONP-8(5x6)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 10 В
• 14 A
• 10,5 mOhm
• 3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.8V / 250µA | Ёмкость затвора: 700 pF / 15 V | Заряд затвора: 5.2 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-92-3FORM
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 0,4 A
• 15 Ohm
• 3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 94 pF / 25 V | Заряд затвора: 6.9 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• POWERFLAT4
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 25 В
• 17 A
• 179 mOhm
• 3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1950 pF / 100 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-92
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 6 A
• 140 mOhm
• 3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 120 pF / 25 V | Заряд затвора: 15.5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 15 mOhm
• 3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 215 pF / 15 V | Заряд затвора: 24 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 90 A
• 2,5 mOhm
• 3 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.8V / 95µA | Ёмкость затвора: 5200 pF / 30 V | Заряд затвора: 71 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• PG-TO263-3
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 25 A
• 2,6 mOhm
• 3 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.8V / 75µA | Ёмкость затвора: 4100 pF / 30 V | Заряд затвора: 56 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• PG-TO220-3
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 17 A
• 6 mOhm
• 3 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.8V / 36µA | Ёмкость затвора: 2000 pF / 30 V | Заряд затвора: 27 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• D-Pak
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 31 A
• 39 mOhm
• 3 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1690 pF / 25 V | Заряд затвора: 56 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 12 V
• 8 В
• 9 A
• 16 mOhm
• 3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 4750 pF / 6 V | Заряд затвора: 47 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 12 В
• 8,5 A
• 0,024 Ohm
• 3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1050 pF / 15 V | Заряд затвора: 12 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Vishay
• TSOP-6
• Другое
• 30 В
• 30 A
• 20 В
• 3 W

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 8 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 6.4 | Полный...

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 13 A
• 30 В
• 3 W
• 20 В
• 50 A
• 10