Транзисторы для электронных компонентов

• NCE
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 15 mOhm
• 3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 215 pF / 15 V | Заряд затвора: 24 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Alpha&Omega
• SO8
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 V
• -6 А
• -5.1 А
• 40 мОм
• 65 мОм
• -1 ... -3 V
• -1.8 V
• 3 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• VISH/IR
• TO-263(D2PAK)
• SMD
• Полевые P-канальные
• 200 V
• 20 В
• 11 A
• 500 mOhm
• 3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1200 pF / 25 V | Заряд затвора: 44 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SOIC-8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 12 V
• 8 В
• 9 A
• 16 mOhm
• 3 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 4750 pF / 6 V | Заряд затвора: 47 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• On Semiconductor
• Полевые P-канальные
• 6 A
• 20 В
• 3 W
• 8 В
• 30 A

• On Semiconductor
• Полевые P-канальные
• 2,5 A
• 60 В
• 3 W
• 20 В
• 15 A