Транзисторы для электронных компонентов

• NEC
• Биполярные PNP
• 0,8 A
• 0,25 Вт
• 60 V
• 60 V
• 5 V
• 200 МГц
• 100..300

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-247AC
• 100 V
• THT
• 195 A

• Полевые P-канальные
• On
• TO-251
• 60 V
• THT
• 7.6 A
• 690

• Vishay
• PPAK1212-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 24 mOhm
• 3.2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 435 pF / 15 V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Jcst
• 0.05 A
• 30 V
• 15 V
• SOT-23
• Биполярные NPN

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 650 V
• 90 A
• 75 A
• 468 Вт
• 1.65 V
• есть
• 300 А
• 300 А
• 355 нс
• 120 нс
• 59 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 173:

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 70
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,1 А
• 220
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• ST
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 25 В
• 9 A
• 480 mOhm
• 85 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 620 pF / 100 V | Заряд затвора: 17 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Infineon
• Полевые P-канальные
• 74 A
• 55 В
• 200 W
• 20 В
• 180

• IGBT

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 30 V
• THT
• 140 A

• Полевые N-канальные
• Ir
• SOT-23
• 40 V
• SMD
• 3.6 A
• 266

• Полевые N-канальные
• Infineon
• TO-247
• 650 V
• THT
• 24.3 A
• 3000

• Биполярные PNP
• Toshiba
• TO-92L
• 50 MHz
• 160 V
• 160 V
• 1.0 А
• 200

• ВЧ
• Philips
• SOT-143
• 0.12 A
• 9 GHz
• 15 V
• 20 V

• Биполярные NPN
• ST
• TO-126
• 80 V
• 80 V
• 1.5 A
• THT

• Биполярные NPN
• Yangjie
• SOT-23
• 100 MHz
• 45 V
• 50 V
• 0.1 A
• 450
• SMD