Транзисторы для электронных компонентов

• Биполярные NPN
• Hottech
• TO-92
• 300 MHz
• 160 V
• 180 V
• 0.6 A
• THT

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 80 A
• 3,3 mOhm
• 116 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 5391 pF / 20 V | Заряд затвора: 114 nC / 10 V

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 20 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1690 pF / 25 V | Заряд затвора: 29 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 120 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 158 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 56ns |...

• On Semiconductor
• SuperSOT6
• Другое
• 30 В
• 20 В
• 1.6 W
• THT

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 6.3 | Полный заряд затвора, нКл: 9 | | Сопротивление сток-исток при 10V...

• Биполярные PNP
• ST
• TO-126
• 160 MHz
• 45 V
• 45 V
• 1.5 A
• 250

• Полевые N-канальные
• Ir
• SOT-23
• 40 V
• SMD
• 3.6 A
• 266

• On Semiconductor
• Другое
• 0,225 W

• 195 A
• Crmicro
• TO-220
• 201 A
• 16 нс
• 192 нс
• 40 В
• 25 В
• 780 A
• 284 W
• 0,0016 Ohm
• Полевые N-канальные

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 189 | Маркировка: CRTT020N04N

• Fair
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 4,5 A
• 2,5 Ohm
• 100 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 670 pF / 25 V | Заряд затвора: 19 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 8 A
• 140 mOhm
• 2.1 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.8V / 250µA | Ёмкость затвора: 540 pF / 50 V | Заряд затвора: 13 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• DFN3x3
• SMD
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 8 В
• 40 A
• 9,5 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 900mV / 250µA | Ёмкость затвора: 4195 pF / 10 V | Заряд затвора: 53 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• NEC
• Биполярные PNP
• 0,8 A
• 0,25 Вт
• 60 V
• 60 V
• 5 V
• 200 МГц
• 100..300

• Vishay
• Полевые P-канальные
• 4,7 A
• 60 В
• 5 W
• 20 В
• 20 A
• 8

• Биполярные NPN
• Nxp
• SOT-89
• 130 MHz
• 45 V
• 45 V
• 1.0 А
• 250
• SMD

• Биполярные PNP
• Toshiba
• TO-92L
• 50 MHz
• 160 V
• 160 V
• 1.0 А
• 200

• Биполярные PNP
• ST
• TO-247
• 3 MHz
• 100 V
• 140 V
• 25 A
• 50

• 0.1 A
• 80 V
• 65 V
• Diotec
• Биполярные NPN
• 100 МГц

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 120 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 158 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 56ns |...

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 70
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,1 А
• 220
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT323
• 45 V
• 0,1 А
• 800
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• TI
• SMD
• SO-16
• 50 V
• 0,5 А

• Не указан
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 25 В
• 120 A
• 7 mOhm
• 150 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3000 pF / 30 V | Заряд затвора: 72 nC / 10 V | Диапазон номинальных...