Транзисторы для электронных компонентов

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 80 A
• 3,3 mOhm
• 116 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 5391 pF / 20 V | Заряд затвора: 114 nC / 10 V

• Luxinsemi
• IGBT
• 650 V
• 40 A
• 20 A
• 1,65 V
• 30,6 Вт
• 45
• 60 А
• есть
• 60 нс
• 20 нс
• 50 н

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 20 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1690 pF / 25 V | Заряд затвора: 29 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Не указан
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 25 В
• 120 A
• 7 mOhm
• 150 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3000 pF / 30 V | Заряд затвора: 72 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 86 A
• 5,8 mOhm
• 75 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 50µA | Ёмкость затвора: 2150 pF / 15 V | Заряд затвора: 23 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 25 В
• 110 A
• 5,6 mOhm
• 137 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 3135 pF / 30 V | Заряд затвора: 77 nC / 10 V

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 7,5 A
• 12,5 A
• 700 В
• 59,5 W
• 20 В
• 34 A
• 16,4

• On Semiconductor
• Другое
• 0,225 W

• Hooyi
• Полевые N-канальные
• 80 A
• 120 A
• 60 В
• 188 W
• 25 В
• 380 A
• 96

• Биполярные PNP
• ST
• TO-126
• 160 MHz
• 45 V
• 45 V
• 1.5 A
• 250

• 195 A
• Crmicro
• TO-220
• 201 A
• 16 нс
• 192 нс
• 40 В
• 25 В
• 780 A
• 284 W
• 0,0016 Ohm
• Полевые N-канальные

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 189 | Маркировка: CRTT020N04N

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 120 А
• 312 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 158 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 56ns |...

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 1000 V
• 30 В
• 3,5 A
• 3,7 Ohm
• 125 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 1154 pF / 25 V | Заряд затвора: 59 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 21 A
• 180 mOhm
• 188 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 83 pF / 50 V | Заряд затвора: 36 nC / 10 V

• INFIN
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 20 В
• 68,5 A
• 0,041 Ohm
• 500 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 3.3mA | Ёмкость затвора: 400 pF / 100 V | Заряд затвора: 300 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 650 V
• 90 A
• 75 A
• 468 Вт
• 1.65 V
• есть
• 300 А
• 300 А
• 355 нс
• 120 нс
• 59 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 173:

• NEC
• Биполярные PNP
• 0,8 A
• 0,25 Вт
• 60 V
• 60 V
• 5 V
• 200 МГц
• 100..300

• Vishay
• Полевые P-канальные
• 4,7 A
• 60 В
• 5 W
• 20 В
• 20 A
• 8

• Биполярные NPN
• Hottech
• TO-92
• 300 MHz
• 160 V
• 180 V
• 0.6 A
• THT

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-247AC
• 100 V
• THT
• 195 A

• Биполярные NPN
• Panasonic
• TO-92
• 150 MHz
• 20 V
• 40 V
• 5.0 А
• THT

• 0.1 A
• 80 V
• 65 V
• Diotec
• Биполярные NPN
• 100 МГц

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 70
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,1 А
• 220
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 30