Транзисторы для электронных компонентов. Sale

• Hooyi
• Полевые N-канальные
• 80 A
• 120 A
• 60 В
• 188 W
• 25 В
• 380 A
• 96

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-220F
• 650 V
• 30 А
• 30,6 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 45 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5

• Vishay
• PPAK1212-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 24 mOhm
• 3.2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 435 pF / 15 V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Jcst
• 0.05 A
• 30 V
• 15 V
• SOT-23
• Биполярные NPN

• Xiner
• IGBT
• 600 V
• 20 A
• 1,7 V
• 20 А
• есть

• ST
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 25 В
• 9 A
• 480 mOhm
• 85 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 620 pF / 100 V | Заряд затвора: 17 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 25 В
• 160 A
• 3,2 mOhm
• 280 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 944 pF / 30 V | Заряд затвора: 139 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 150 V
• 20 В
• 160 A
• 7,3 mOhm
• 227 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 572 pF / 75 V | Заряд затвора: 79 nC / 10 V

• Ixys
• IGBT
• 600 V
• 75 A
• 60 A
• 2,5 V
• 380 Вт
• 115
• 300 А
• есть
• 70 нс
• 21 нс
• 100 н

• Другое

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 30 V
• THT
• 140 A

• Полевые N-канальные
• ST
• TO-220
• 600 V
• THT
• 4 A

• Полевые N-канальные
• Ir
• SOT-23
• 40 V
• SMD
• 3.6 A
• 266

• Полевые N-канальные
• Infineon
• TO-247
• 650 V
• THT
• 24.3 A
• 3000

• Биполярные PNP
• Toshiba
• TO-92L
• 50 MHz
• 160 V
• 160 V
• 1.0 А
• 200

• ВЧ
• Philips
• SOT-143
• 0.12 A
• 9 GHz
• 15 V
• 20 V

• Биполярные NPN
• ST
• TO-126
• 80 V
• 80 V
• 1.5 A
• THT

• Биполярные NPN
• Yangjie
• SOT-23
• 100 MHz
• 45 V
• 50 V
• 0.1 A
• 450
• SMD