Активные электронные компоненты для электронных компонентов

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 80 A
• 3,3 mOhm
• 116 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 5391 pF / 20 V | Заряд затвора: 114 nC / 10 V

• Выпрямительные и импульсные

Примечание: Выпрямительный. Производитель: MIC. Корпус: DO-41 | Uобр., V (RRM): 1000 V | Iвыпр., A (If): 1.0 А | Монтаж: THT | Падение напряжения Vf:...

• Шоттки

Примечание: Производитель: MIC | Корпус: DO-201AD(DO-27) | Обратное напряжение, Vrrm: 100 V | Прямой ток (per leg), If: 10 А | Падение напряжения,...

• Шоттки

Примечание: Производитель: Yangjie | MIC. Корпус: DO-201 | Обратное напряжение, Vrrm: 100 V | Прямой ток (per leg), If: 5.0 А | Падение напряжения,...

• Супербыстрые

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 600 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А: 30 | Время восстановления (trr),...

• Luxinsemi
• IGBT
• 650 V
• 40 A
• 20 A
• 1,65 V
• 30,6 Вт
• 45
• 60 А
• есть
• 60 нс
• 20 нс
• 50 н

• Датчик положения

Примечание: Бренд: EVERLIGHT

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 20 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1690 pF / 25 V | Заряд затвора: 29 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ограничительные

Примечание: Производитель: Vishay | Корпус: DO-201 | Пиковая мощность: 1500 W | Напряжение пробоя, Vbr: 18 V | Постоянное обратное напряжение, Vrm:...

• Датчик положения

Примечание: Бренд: TI | Тип выхода: Analog | Напряжение питания - макс.: 5.5 | Напряжение питания - мин.: 3 | Тип корпуса: TO-92S

• Espressif
• 18x25.5x3.1 мм.
• 2,412...2,484ГГц
• 2.7...3,6 V
• UART
• SPI
• I2C
• Bluetooth

Примечание: IoT, Мощность передатчика 20дБм, Чувствительность приемника b: -91 дБм, g: -75 дБм, Объем Flash-памяти 16МБит.

Примечание: Бренд:: DIGI

• Не указан
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 25 В
• 120 A
• 7 mOhm
• 150 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3000 pF / 30 V | Заряд затвора: 72 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 86 A
• 5,8 mOhm
• 75 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 50µA | Ёмкость затвора: 2150 pF / 15 V | Заряд затвора: 23 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 25 В
• 110 A
• 5,6 mOhm
• 137 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.6V / 250µA | Ёмкость затвора: 3135 pF / 30 V | Заряд затвора: 77 nC / 10 V

• Шоттки

Примечание: Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 100 | Максимальный средний ток диода(If(av)), А: 2 | Прямое падение напряжения (Uf),...

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 7,5 A
• 12,5 A
• 700 В
• 59,5 W
• 20 В
• 34 A
• 16,4

• On Semiconductor
• Другое
• 0,225 W

• Hooyi
• Полевые N-канальные
• 80 A
• 120 A
• 60 В
• 188 W
• 25 В
• 380 A
• 96

• Биполярные PNP
• ST
• TO-126
• 160 MHz
• 45 V
• 45 V
• 1.5 A
• 250

• Nxp
• TO-220
• 800 V
• 25 mA
• 8.0 А

• Guerte
• 94x73x36 мм
• 1600 V
• 200 A
• Диодная сборка
• 1800 A

• 195 A
• Crmicro
• TO-220
• 201 A
• 16 нс
• 192 нс
• 40 В
• 25 В
• 780 A
• 284 W
• 0,0016 Ohm
• Полевые N-канальные

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 189 | Маркировка: CRTT020N04N

• 880
• 800
• Fuxinsemi