Транзисторы для электронных компонентов

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 20 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1690 pF / 25 V | Заряд затвора: 29 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 86 A
• 5,8 mOhm
• 75 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 50µA | Ёмкость затвора: 2150 pF / 15 V | Заряд затвора: 23 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• DFN3x3
• SMD
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 8 В
• 40 A
• 9,5 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 900mV / 250µA | Ёмкость затвора: 4195 pF / 10 V | Заряд затвора: 53 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Биполярные NPN
• Nxp
• SOT-89
• 130 MHz
• 45 V
• 45 V
• 1.0 А
• 250
• SMD

• Полевые N-канальные
• Ir
• SOT-23
• 40 V
• SMD
• 3.6 A
• 266

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 70
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,1 А
• 220
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT323
• 45 V
• 0,1 А
• 800
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• INFIN
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 16 A
• 6,6 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 50µA | Ёмкость затвора: 2820 pF / 15 V | Заряд затвора: 92 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Биполярные NPN
• NEC
• SOT-23
• 250 MHz
• 50 V
• 60 V
• 0.1 A
• 400
• SMD

• Биполярные NPN
• Philips
• SOT-23
• 100 MHz
• 30 V
• 25 V
• 0.5 A
• 400
• SMD

• Биполярные NPN
• Yangjie
• SOT-23
• 100 MHz
• 45 V
• 50 V
• 0.1 A
• 450
• SMD

• Биполярные NPN
• Hottech
• SOT-23
• 100 MHz
• 65 V
• 80 V
• 0.1 A
• 450
• SMD