Транзисторы для электронных компонентов

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 15 A
• 7,5 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.7V / 250µA | Ёмкость затвора: 6400 pF / 15 V | Заряд затвора: 120 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Биполярные PNP
• Utc
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 2 А
• 120
• …+150°C

• Не указан
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 320mA A
• 1,6 Ohm
• 300 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 24.5 pF / 20 V | Заряд затвора: 0.7 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Биполярные NPN
• Yangjie
• SOT-23
• 400 V
• 400 V
• 0.2 A
• 200
• SMD

• Биполярные NPN
• MDD
• SMD
• SOT23
• -55...+150°C

• NCE
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 20 A
• 35 mOhm
• 45 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 60 pF / 30 V | Заряд затвора: 47 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Биполярные NPN
• NEC
• SOT-23
• 250 MHz
• 50 V
• 60 V
• 0.1 A
• 400
• SMD

• Полевые N-канальные
• Infineon
• D-Pak (TO-252)
• 55 V
• SMD
• 42 A
• 1570

• Vishay
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 8 В
• 3,9 A
• 31 mOhm
• 750 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 850mV / 250µA | Заряд затвора: 12 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 1,8V / 4,5V

• NCE
• DPAK
• SMD
• Полевые P-канальные
• 100 V
• 20 В
• 13 A
• 200 mOhm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 260 pF / 25 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Huayi
• DFN5X6
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 150 A
• 1,6 Ohm
• 65 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 3011 pF / 25 V | Заряд затвора: 44 nC / 24 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 8 A
• 13 mOhm
• 2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.7V / 250µA | Ёмкость затвора: 1950pF / 20V | Заряд затвора: 33 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Биполярные NPN
• TSMT5
• 320 MHz
• 30 V
• 30 V
• 1.0 А
• SMD

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT23
• 40 V
• 0,6 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• Umw
• TO-252-2
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 90 A
• 4,9 mOhm
• 105 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1963 pF / 15 V | Заряд затвора: 41 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 2,4 A
• 3,6 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 311 pF / 25 V | Заряд затвора: 11.8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-263
• SMD
• Полевые N-канальные
• 85 V
• 20 В
• 120 A
• 5,5 mOhm
• 174 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3086 pF / 40 V | Заряд затвора: 55 nC / 10 V

• 4.9 A
• 22.3
• 30 V
• SO-8
• SMD
• Полевые P-канальные

• 50 A
• 40 V
• D-Pak (TO-252)
• SMD
• Полевые N-канальные

• Полевые N-канальные
• Hottech
• SOT-23
• 60 V
• SMD
• 0.2 A

• Полевые N-канальные
• China
• D-Pak (TO-252)
• 55 V
• SMD
• 42 A
• 1700

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 0,6 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Hottech
• SMD
• SOT223
• 80 V
• 1 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Vbsemi
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 200 V
• 30 В
• 9 A
• 0,4 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 525 pF / 25V | Заряд затвора: 17 nC / 10 V