Активные электронные компоненты для электронных компонентов

• AOS
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 20 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 1690 pF / 25 V | Заряд затвора: 29 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 86 A
• 5,8 mOhm
• 75 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 50µA | Ёмкость затвора: 2150 pF / 15 V | Заряд затвора: 23 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• DFN3x3
• SMD
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 8 В
• 40 A
• 9,5 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 900mV / 250µA | Ёмкость затвора: 4195 pF / 10 V | Заряд затвора: 53 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Полевые N-канальные
• Ir
• SOT-23
• 40 V
• SMD
• 3.6 A
• 266

• AOS
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 8 A
• 140 mOhm
• 2.1 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.8V / 250µA | Ёмкость затвора: 540 pF / 50 V | Заряд затвора: 13 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Биполярные NPN
• Nxp
• SOT-89
• 130 MHz
• 45 V
• 45 V
• 1.0 А
• 250
• SMD

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 70
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 30 V
• 0,1 А
• 220
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT323
• 45 V
• 0,1 А
• 800
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• INFIN
• SO8
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 20 В
• 16 A
• 6,6 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 50µA | Ёмкость затвора: 2820 pF / 15 V | Заряд затвора: 92 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 23 A
• 3 mOhm
• 2.7 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 4300 pF / 20 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Биполярные NPN
• NEC
• SOT-23
• 250 MHz
• 50 V
• 60 V
• 0.1 A
• 400
• SMD

• Биполярные NPN
• Philips
• SOT-23
• 100 MHz
• 30 V
• 25 V
• 0.5 A
• 400
• SMD

• Биполярные NPN
• Yangjie
• SOT-23
• 100 MHz
• 45 V
• 50 V
• 0.1 A
• 450
• SMD

• Биполярные NPN
• Hottech
• SOT-23
• 100 MHz
• 65 V
• 80 V
• 0.1 A
• 450
• SMD

• Биполярные PNP
• Utc
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 2 А
• 120
• …+150°C

• Yj
• SOD-80
• SMD
• 18
• 5 mA
• 0,4 W
• 14.4 mV/K

• Биполярные NPN
• Yangjie
• SOT-23
• 300 MHz
• 40 V
• 75 V
• 0.6 A
• 300
• SMD

• ST
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 25 В
• 9 A
• 480 mOhm
• 85 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 620 pF / 100 V | Заряд затвора: 17 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-220
• SMD
• Полевые N-канальные
• 82 V
• 20 В
• 140 A
• 6 mOhm
• 220 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 7900 pF / 40 V | Заряд затвора: 158 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• DPAK
• SMD
• Полевые P-канальные
• 100 V
• 20 В
• 13 A
• 200 mOhm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 260 pF / 25 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Huayi
• DFN5X6
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 150 A
• 1,6 Ohm
• 65 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 3011 pF / 25 V | Заряд затвора: 44 nC / 24 V | Диапазон номинальных...

• Yangjie
• MicroDIP
• Однофазный
• SMD

Примечание: Средний выпрямленый ток (If(av)), А: 1 | Повторяющееся пиковое обратное напряжение (Urrm), В: 1000 | Габаритные размеры (LxWxH), мм:...

• Биполярные NPN
• MDD
• SMD
• SOT23
• -55...+150°C