Транзисторы для электронных компонентов

• ST
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 25 В
• 9 A
• 480 mOhm
• 85 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 620 pF / 100 V | Заряд затвора: 17 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 525 V
• 30 В
• 4,4 A
• 1,5 Ohm
• 70 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 529 pF / 25 V | Заряд затвора: 16.9 nC / 10 V

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 420 V
• 30 А
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 29 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 650ns | ...

• Биполярные NPN
• ST
• SMD
• SO-16
• 50 V
• 0,5 А

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 1,5 A
• 4,8 Ohm
• 90 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 590 pF / 25 V | Заряд затвора: 22.7 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 2,4 A
• 3,6 Ohm
• 45 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 50µA | Ёмкость затвора: 311 pF / 25 V | Заряд затвора: 11.8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• Полевые N-канальные
• SMD
• 60 V
• D2PAK
• -55…+175°C
• 50 А

• ST
• Биполярные PNP
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 100 V
• 3 V
• 50
• 100 V
• 3 A
• 15 W

• ST
• IGBT
• SMD
• DPAK
• 1200 V
• 2 V
• 55
• 20 V
• 10 A

• 0.17 A
• 500 V
• ST
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 650 V
• 4 А
• 68 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 15.2 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 12ns | Время выключения: 86ns

• Биполярные PNP
• ST
• SMD
• SOT223
• 40 V
• 5 А
• 50
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 350 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• ST
• SMD
• SOT23
• 500 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 500

• Биполярные NPN
• ST
• SMD
• SOT23
• 500 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение коллектор-база, В: 500

• Биполярные PNP
• ST
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 5 А
• 350
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.35 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• ST
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 3 А
• 80
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.18 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 10 А
• 65 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 19.2 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 14.2ns...

• Биполярные NPN
• ST
• SMD
• SOT223
• 1200 V
• 0,2 А
• 3
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3

• Биполярные NPN
• ST
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 400 V
• 1,5 А
• 35
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 25 А
• 70 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 35 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.85 | Время включения: 18.5ns...

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 425 V
• 40 А
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 51 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 2.3us | ...

• Биполярные PNP
• ST
• SMD
• SOT223
• 400 V
• 1,5 А
• 32
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5

• Биполярные NPN
• ST
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 100 V
• 8 А
• 12000
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• ST
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 80 V
• 8 А
• 60
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1