Транзисторы для электронных компонентов. Бренд ST. Тип монтажа SMD

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 600 V
• 10 А
• 65 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 19.2 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9 | Время включения: 14.2ns...

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 425 V
• 40 А
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 51 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 2.3us | ...

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 420 V
• 30 А
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 29 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 650ns | ...

• ST
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 6 A
• 1,2 Ohm
• 110 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 100µA | Ёмкость затвора: 905 pF / 25 V | Заряд затвора: 46 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 25 В
• 17 A
• 220 mOhm
• 140 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1800 pF / 50 V | Заряд затвора: 60 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 60 A
• 16 mOhm
• 110 W
• -65…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1810 pF / 25 V | Заряд затвора: 66 nC / 10 V | Диапазон номинальных...