Транзисторы для электронных компонентов. Температурный диапазон -55…+175°C. Тип монтажа SMD

• NCE
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 150 A
• 4 mOhm
• 130 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 5000 pF / 15 V | Заряд затвора: 38 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• IGBT
• NCE
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 14 А
• 73 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 28 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 20ns | ...

• IGBT
• NCE
• SMD
• TO-263
• 600 V
• 12 А
• 73 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 28 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 20ns | ...

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 650 V
• 4 А
• 68 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 15.2 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 12ns | Время выключения: 86ns

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 425 V
• 40 А
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 51 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 2.3us | ...

• IGBT
• ST
• SMD
• D2PAK
• 420 V
• 30 А
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 29 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 650ns | ...

• IGBT
• Ir
• SMD
• TO-263
• 600 V
• 42 А
• 140 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 25 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 31ns | ...

• IGBT
• Ir
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 6 А
• 39 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 19.5 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 27ns |...

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 360 V
• 25 А
• 125 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 29 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.35 | Время включения: 650ns |...

• Не указан
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 100 A
• 0,003 Ohm
• 235 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1525 pF / 15 V | Заряд затвора: 103 nC / 4.5 V

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 20 A
• 35 mOhm
• 45 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 68 pF / 30 V | Заряд затвора: 15 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 60 A
• 7 mOhm
• 70 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 224 pF / 20 V | Заряд затвора: 29 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 40 A
• 10,6 mOhm
• 34 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 917 pF / 20 V | Заряд затвора: 23.6 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vishay
• SO8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 5,8 A
• 41 mOhm
• 3.7 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 840 pF / 30 V | Заряд затвора: 25 nC / 10 V

• Vishay
• D2PAK
• SMD
• Полевые P-канальные
• 40 V
• 20 В
• 20 A
• 5 mOhm
• 15 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 11300 pF / 25 V | Заряд затвора: 280 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• TO-263(D2PAK)
• SMD
• Полевые P-канальные
• 100 V
• 20 В
• 19 A
• 200 mOhm
• 3.7 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1400 pF / 25 V | Заряд затвора: 61 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 16 В
• 25 A
• 37 mOhm
• 57 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 710 pF / 25 V | Заряд затвора: 20 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 50 A
• 0,010 Ohm
• 136 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 470 pF / 25 V | Заряд затвора: 70 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vbsemi
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 20 В
• 120 A
• 0,0035 Ohm
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 1725 pF / 10 V | Заряд затвора: 123 nC / 10 V

• Vbsemi
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 75 V
• 20 В
• 9 A
• 16 mOhm
• 135 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1857 pF / 25 V | Заряд затвора: 42 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Umw
• TO-252-2
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 15 A
• 114 mOhm
• 96 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 950 pF / 25 V | Заряд затвора: 41 nC / 10 V

• TI
• TO-263-3
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 200 A
• 1,6 mOhm
• 375 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 11430 pF / 30 V | Заряд затвора: 140 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TI
• TO-263-3
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 200 A
• 3,4 mOhm
• 300 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 7930 pF / 50 V | Заряд затвора: 98 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TI
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 200 A
• 2 mOhm
• 300 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 6620 pF / 30 V | Заряд затвора: 81 nC / 10 V | Диапазон номинальных...