Транзисторы для электронных компонентов. Тип монтажа SMD. Корпус TO-252-3

• IGBT
• INFIN
• SMD
• TO-252-3
• 600 V
• 12 А
• 100 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 48 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 7ns | ...

• TAIWAN SEMICONDUCTOR
• TO-252-3
• SMD
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 7 A
• 180 mOhm
• 15.6 W
• …+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 425 pF / 30 V | Заряд затвора: 8.2 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-252-3
• SMD
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 15,6 A
• 100 mOhm
• 2.5 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 870 pF / 25 V | Заряд затвора: 18 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• ONS
• TO-252-3
• SMD
• Полевые N-канальные
• 150 V
• 20 В
• 5 A
• 52 mOhm
• 3.1 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 985 pF / 75 V | Заряд затвора: 16 nC / 10 V | Диапазон номинальных...