Транзисторы для электронных компонентов. Температурный диапазон …+175°C. Тип монтажа SMD

• Биполярные PNP
• Nexperia
• SMD
• SOT323
• 50 V
• …+175°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 6 А
• 48 W
• …+175°C

Примечание: Заряд затвора: 18 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 125us

• Биполярные NPN
• MIT
• SMD
• T-31E
• 17 V
• 3,5 А
• 180
• …+175°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напряжение коллектор-база, В: 35

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 10 В
• 30 A
• 8 mOhm
• 30 W
• …+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 305 pF / 10 V | Заряд затвора: 29 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...