Транзисторы для электронных компонентов. Температурный диапазон …+175°C

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-39
• 40 V
• 1 А
• …+175°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 340,9 W
• …+175°C

Примечание: Заряд затвора: 138 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 45ns | ...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 60 А
• 150 W
• …+175°C

Примечание: Заряд затвора: 69 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 35ns | ...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 60 А
• 200 W
• …+175°C

Примечание: Заряд затвора: 70 nC | Время включения: 75ns | Время выключения: 400ns

• Биполярные PNP
• Nexperia
• SMD
• SOT323
• 50 V
• …+175°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 6 А
• 48 W
• …+175°C

Примечание: Заряд затвора: 18 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 125us

• Биполярные NPN
• MIT
• SMD
• T-31E
• 17 V
• 3,5 А
• 180
• …+175°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напряжение коллектор-база, В: 35

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 10 В
• 30 A
• 8 mOhm
• 30 W
• …+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 305 pF / 10 V | Заряд затвора: 29 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• TOS
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 150 A
• 9 mOhm
• …+175°C

• ST
• I2PAK
• THT
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 16 В
• 80 A
• 8 mOhm
• 300 W
• …+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 4350 pF / 25 V | Заряд затвора: 100 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...