Транзистори для електронних компонентів. Температурний діапазон …+175°C

• Біполярні PNP
• Cdil
• THT
• TO-39
• 40 V
• 1 А
• …+175°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 40

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 80 А
• 340,9 W
• …+175°C

Примітка: Заряд затвора: 138 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 45ns | Час...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 650 V
• 60 А
• 150 W
• …+175°C

Примітка: Заряд затвора: 69 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 35ns | Час виключення:...

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 650 V
• 60 А
• 200 W
• …+175°C

Примітка: Заряд затвора: 70 nC | Час включення: 75ns | Час виключення: 400ns

• Біполярні PNP
• Nexperia
• SMD
• SOT323
• 50 V
• …+175°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга колектор-база, В: 50

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 600 V
• 6 А
• 48 W
• …+175°C

Примітка: Заряд затвора: 18 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 125us

• Біполярні NPN
• MIT
• SMD
• T-31E
• 17 V
• 3,5 А
• 180
• …+175°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 4 | Напруга колектор-база, В: 35

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Польові N-канальні
• 20 V
• 10 В
• 30 A
• 8 mOhm
• 30 W
• …+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 1V / 250µA | Ємність затвора: 305 pF / 10 V | Заряд затвора: 29 nC / 4.5 V | Діапазон номінальних напруг...

• TOS
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 900 V
• 150 A
• 9 mOhm
• …+175°C

• ST
• I2PAK
• THT
• Польові N-канальні
• 55 V
• 16 В
• 80 A
• 8 mOhm
• 300 W
• …+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.5V / 250µA | Ємність затвора: 4350 pF / 25 V | Заряд затвора: 100 nC / 4.5 V | Діапазон номінальних напруг...