Операційні підсилювачі для електронних компонентів

Примітка: Виробник: TI|Корпус: SO-8|Vc, V: ±2,5...±17 V|BW, MHz: 55 MHz|Vio, mV(напр. зміщення): ±0,1 mV|Скор. Нар., В/мкс: 20 V/µs|Температурний...

Примітка: Виробник: ST|Корпус: SOIC-8|Vc, V: 3...32 V|BW,MHz: 1 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 7 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,6 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Кількість каналів (Nch):: 4 | Rail-to-Rail:: так | Напруга двополярного живлення (Udual), В:: ±1.5..±16 | Напруга однополярного живлення...

Примітка: Кількість каналів (Nch):: 4 | Rail-to-Rail:: так | Напруга двополярного живлення (Udual), В:: ±1.5..±16 | Напруга однополярного живлення...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: SOIC-8|Vc, V: ±14 V|BW,MHz: 0,6 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 60 mV|Температурний діапазон: 0…+70°C|К-сть каналів: |Монтаж:

Примітка: Виробник: NS|Корпус: DIP-8|Vc, V: ±18 V|BW,MHz: 55 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 0,7 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 20 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: AD|Корпус: SOT-23-5|Vc, V: 5,5 V|BW,MHz: 10 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 0,08 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 5 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: PDIP-8|Vc, V: ±18 V|BW, MHz: 3 MHz|Vio, mV(напр. зміщення): 3 mV|Температурний діапазон: 0...+70°C|Кількість каналів:...

Примітка: Виробник: ST|Корпус: SO-14|Vc, V: ±3,5…18 V|BW, MHz: 4 MHz|Vio, mV(напр. зміщення): 10 mV|Скор. Нар., В/мкс: 16 V/µs|Температурний...

Примітка: Виробник: ON|Корпус: SOIC-8|Vc, V: 5...18 V|BW, MHz: 1 MHz|Vio, mV(напр. зміщення): 7,5 mV|Скор. Нар., В/мкс: 0,5 V/µs|Температурний...

Примітка: Виробник: National Semiconductor|Корпус: DIP-8|Vc, V: ±22 V|BW, MHz: 5 MHz|Vio, mV(напр. зміщення): 3 mV|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: Intersil|Корпус: DIP-8|Vc, V: 36 V|BW, MHz: 4,5 MHz|Vio, mV(напр. зміщення): 5 mV|Скор. Нар., В/мкс: 9 V/µs|Температурний...

Примітка: Виробник: AD|Корпус: DIP-8|Vc, V: ±18 V|BW, MHz: 1,8 MHz|Скор. Нар., В/мкс: 3 V/µs|Температурний діапазон: -40…+85°C|Кількість каналів:...

Примітка: Корпус: SO-8|Vc, V: 32 V|BW, MHz: 1 MHz|Vio, mV(напр. зміщення): 2 mV|Дод. параметри: Low Power|Кількість каналів: 2|Монтаж: SMD

Примітка: Виробник: TI | Корпус: SOIC-8 Vc, V: ±2…22 V | BW, MHz: 1 MHz | Vio,mV(напр.сміщ.): 0,2 mV | Скор.Зростання,В/мкс: 0,4 V/µs | Температурний...

Примітка: Виробник: BB | Корпус: DIP-8 Vc, V: ±5,5 V | BW,MHz: 135 MHz | Температурний діапазон: -40 ... +85 ° C | Кількість каналів: 1