Операційні підсилювачі для електронних компонентів. Сторінка 3

Примітка: Виробник: NS|Корпус: DIP-8|Vc, V: ±18 V|BW,MHz: 55 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 0,7 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 20 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Корпус: DIP-14|Vc, V: ±18 V|BW,MHz: 1 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 1 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,5 V/µs|Температурний діапазон: 0…+70°C|К-сть...

Примітка: Виробник: AD|Корпус: SOT-23-5|Vc, V: 5,5 V|BW,MHz: 10 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 0,08 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 5 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: Microchip|Корпус: PDIP-8|Vc, V: 2,7...6 V|BW,MHz: 2,8 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): ±0,7 mV|Температурний діапазон: -40...+85°C|К-сть...

Примітка: Виробник: AD|Корпус: SO-8|Vc, V: 3...36 V|BW,MHz: 16 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 0,8 mV|Температурний діапазон: -40...+85°C|К-сть каналів:...

Примітка: Виробник: ST|Корпус: SO-14|Vc, V: ±18 V|BW,MHz: 3 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 10 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 13 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: ON|Корпус: SOIC-14|Vc, V: 32 V|BW,MHz: 1 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 7 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,6 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: ST|Корпус: SO-8|Vc, V: ±18 V|BW,MHz: 4 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 3 mV|Температурний діапазон: 0…+70°C|К-сть каналів: 2|Монтаж: SMD

Примітка: Виробник: MCP|Корпус: SO-8|Vc, V: 2,7-5,5 V|BW,MHz: 2,8 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): ±0,7 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 2,3 V/µs|Температурний...

Примітка: Виробник: AD|Корпус: SO-8|Vc, V: 24 V|BW,MHz: 145 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 0,4 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 180 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: UMW|Корпус: SO-8|Vc, V: 3…32 V|BW, MHz: 0,7 MHz|Vio, mV(напр. зміщення): 7 mV|Скор. Нар., В/мкс: 0,3 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: Toshiba|Корпус: HSIP-10|Vc, V: ±9 V|BW, MHz: 1 MHz|Vio, mV(напр. зміщення): 6 mV|Температурний діапазон: -30…+75°C|Кількість...

Примітка: Виробник: Toshiba|Корпус: DIP-16|Vc, V: ±18 V|BW, MHz: 1 MHz|Vio, mV(напр. зміщення): 2 mV|Скор. Нар., В/мкс: 0,15 V/µs|Температурний...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: SOIC-8|Vc, V: 7...36 V|BW, MHz: 1 MHz|Vio, mV(напр. зміщення): 15 mV|Скор. Нар., В/мкс: 3,5 V/µs|Температурний...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: SOIC-8|Vc, V: 18 V|BW, MHz: 3 MHz|Vio, mV(напр. зміщення): 3 mV|Температурний діапазон: 0...+70°C|Кількість каналів:...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: SOIC-8|Vc, V: ±18 V|BW, MHz: 3 MHz|Vio, mV(напр. зміщення): 3 mV|Температурний діапазон: 0...+70°C|Кількість каналів:...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: SOIC-8|Vc, V: ±15 V|BW, MHz: 10 MHz|Vio, mV(напр. зміщення): 0,5 mV|Скор. Нар., В/мкс: 9 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: SOIC-14|Vc, V: 3...32 V|BW, MHz: 1,2 MHz|Vio, mV(напр. зміщення): 5 mV|Скор. Нар., В/мкс: 0,5 V/µs|Температурний...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: SOIC-14|Vc, V: 1,5...16 V|BW, MHz: 1,2 MHz|Vio, mV(напр. зміщення): 3 mV|Скор. Нар., В/мкс: 0,5 V/µs|Температурний...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: SO-8|Vc, V: Dual general purpose operational amplifiers|Скор. Нар., В/мкс: 5...15V V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: SO-8|Vc, V: 9...28 V|BW, MHz: 180 MHz|Vio, mV(напр. зміщення): 15 mV|Температурний діапазон: -40...+85°C|Кількість...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: SO-8|Vc, V: 36 V|BW, MHz: 1,3 MHz|Температурний діапазон: -40...+85°C|Кількість каналів: 1|Монтаж: SMD

Примітка: Виробник: TI|Корпус: SO-8|Vc, V: 2,2...5,5 V|BW, MHz: 50 MHz|Vio, mV(напр. зміщення): 0,2 mV|Скор. Нар., В/мкс: 25 V/µs|Температурний...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: SO-8|Vc, V: ±2,5...±17 V|BW, MHz: 55 MHz|Vio, mV(напр. зміщення): ±0,1 mV|Скор. Нар., В/мкс: 20 V/µs|Температурний...