Операційні підсилювачі для електронних компонентів. Сторінка 2

Примітка: Виробник: TI|Корпус: SO-8|Vc, V: 3…32 V|BW,MHz: 0,7 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 7 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,3 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: Burr-Brown|Корпус: SO-8|Vc, V: 2,5...5,5 V|BW,MHz: 5,5 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 0,5 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 6 V/µs|Температурний...

Примітка: Виробник: AD|Корпус: DIP-8|Vc, V: 2,7...12 V|BW,MHz: 3 MHz|Температурний діапазон: -40...+85°C|К-сть каналів: 2|Монтаж: THT

Примітка: Виробник: HGSemi|Корпус: DIP-8|Vc, V: 3...30 V|BW,MHz: 0,7 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 3 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,6 V/µs|Температурний...

Примітка: Виробник: BB|Корпус: DIP-16|Vc, V: ±18 V|BW,MHz: 2,5 MHz|Температурний діапазон: -25…+85°C|Монтаж: THT

Примітка: Виробник: TI|Корпус: DIP-8|Vc, V: 1,5...16 V|BW,MHz: 1 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 2 mV|Температурний діапазон: 0...+70°C|К-сть каналів:...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: PDIP-8|Vc, V: 3...32 V|BW,MHz: 0,7 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 5 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,3 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: SO-8|Vc, V: ±18 V|BW,MHz: 1 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): ±15 mV|Температурний діапазон: -40...+105°C|К-сть каналів:...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: DIP-8|Vc, V: ±18 V|BW,MHz: 4 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 0,2 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 10 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: ON|Корпус: DIP-8|Vc, V: 5...18 V|BW,MHz: 1 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 7,5 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 10 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: AD|Корпус: SOIC-8|Vc, V: ±2,3...±18 V|BW,MHz: 1 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 0|Температурний діапазон: -40…+85°CК-сть каналів:...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: DIP-8|Vc, V: ±18 V|BW,MHz: 1 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 15 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 3,5 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: ST|Корпус: SO-8|Vc, V: 2...20 V|BW,MHz: 5,5 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 5 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 2,2 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: JRC|Корпус: SIP-8|Vc, V: ±2...±18 V|BW,MHz: 15 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 3 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 5 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: Microchip|Корпус: DIP-8|Vc, V: 2,7-5,5 V|BW,MHz: 2,8 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): ±0,7 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 2,3 V/µs|Температурний...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: SOIC-8|Vc, V: 18 V|BW,MHz: 3 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 10 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 13 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: TSSOP-14|Vc, V: 3...32 V|BW,MHz: 1,2 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 7 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,5 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: ST|Корпус: SO-14|Vc, V: 3…32/±1,5…16 V|BW,MHz: 1,2 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 7 mV|Температурний діапазон: -40…+125°C|Дод.параметри:...

Примітка: Виробник: ST|Корпус: DIP-8|Vc, V: ±18 V|BW,MHz: 1 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 15 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 3,5 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: TI|Корпус: DIP-8|Vc, V: ±2,5…18 V|BW,MHz: 8 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 2 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 20 V/µs|Температурний діапазон:...

Примітка: Виробник: AD|Корпус: SOIC-8|Vc, V: 2,7...6 V|BW,MHz: 3 MHz|Швидк.Зрост.,В/мкс: 5 V / ?s|Температурний діапазон: -40...+ 85 ° C|К-сть...

Примітка: Виробник: HG Semi|Корпус: DIP-14|Vc, V: 3...30 V|BW,MHz: 1,3 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 5 mV|Температурний діапазон: -25...+85°C|К-сть...

Примітка: Виробник: ST|Корпус: SO-8|Vc, V: ±16 V|BW,MHz: 1,1 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 7 mV|Температурний діапазон: -40…+105°C|К-сть каналів: 2|Монтаж:...

Примітка: Виробник: AD|Корпус: SO-8|Vc, V: 2,5...15 V|BW,MHz: 1,3 MHz|Vio,mV(напр.зміщ.): 0,015 mV|Швидк.Зрост.,В/мкс: 700 mV/µs|Температурний...