Транзисторы для электронных компонентов. Ток 4 А. Тип монтажа SMD

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 650 V
• 4 А
• 68 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 15.2 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Время включения: 12ns | Время выключения: 86ns

• Биполярные PNP
• Nexperia
• SMD
• TSOP6
• 40 V
• 4 А
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• Nxp
• SMD
• SOT89
• 40 V
• 4 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.34 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT89
• 40 V
• 4 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.29 | Напряжение коллектор-база, В: 40