Транзистори для електронних компонентів. Струм 4 А. Тип монтажу SMD

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 650 V
• 4 А
• 68 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 15.2 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Час включення: 12ns | Час виключення: 86ns

• Біполярні PNP
• Nexperia
• SMD
• TSOP6
• 40 V
• 4 А
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні PNP
• Nxp
• SMD
• SOT89
• 40 V
• 4 А
• 250
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.34 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT89
• 40 V
• 4 А
• 300
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.29 | Напруга колектор-база, В: 40