Транзисторы для электронных компонентов. Ток 5 А. Тип монтажа SMD

• Другое
• DIODES
• SMD
• SOT223-8
• 17,5 V
• 5 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• IGBT
• AOS
• SMD
• DPAK
• 650 V
• 5 А
• 28 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 14 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.57 | Время включения: 8.5ns |...

• Биполярные PNP
• ST
• SMD
• SOT223
• 40 V
• 5 А
• 50
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 350 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• ST
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 5 А
• 350
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.35 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 100 V
• 5 А
• 100
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.42 | Напряжение коллектор-база, В: 140

• IGBT
• AOS
• SMD
• TO-252
• 600 V
• 5 А
• 21,7 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 9.4 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 27ns |...

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 150 V
• 5 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 250

• Другое
• ZTX
• SMD
• MLP-8(3x2)
• 20 V
• 5 А
• 200
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7.5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.27 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 25 V
• 5 А
• 280
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.33 | Напряжение коллектор-база, В: 80