Транзисторы для электронных компонентов. Ток 5 А

• Другое
• DIODES
• SMD
• SOT223-8
• 17,5 V
• 5 А
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• Jscj
• THT
• TO-220
• 100 V
• 5 А
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-220F
• 100 V
• 5 А
• 1000
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• IGBT
• AOS
• SMD
• DPAK
• 650 V
• 5 А
• 28 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 14 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.57 | Время включения: 8.5ns |...

• Биполярные PNP
• ST
• SMD
• SOT223
• 40 V
• 5 А
• 50
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 350 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• ST
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 5 А
• 350
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.35 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 5 А
• 62,5 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 18 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.45 | Время включения: 19ns | Время выключения: 160ns

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 100 V
• 5 А
• 100
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.42 | Напряжение коллектор-база, В: 140

• IGBT
• AOS
• SMD
• TO-252
• 600 V
• 5 А
• 21,7 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 9.4 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.55 | Время включения: 27ns |...

• Биполярные NPN
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 60 V
• 5 А
• -55…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 150

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-220
• 100 V
• 5 А
• 1000
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• Fair
• THT
• TO-220
• 100 V
• 5 А
• 30 W
• 2000

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение коллектор-база, В: 150

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 150 V
• 5 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 250

• Биполярные NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 450 V
• 5 А
• 25
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 1000

• Биполярные PNP
• ST
• THT
• TO-220
• 80 V
• 5 А
• 1000
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Другое
• Isc
• THT
• TO-220FP
• 450 V
• 5 А

• Другое
• MIT
• THT
• 5 А

• Биполярные NPN
• Nxp
• THT
• TO-220F
• 450 V
• 5 А
• 30
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 1000

• Биполярные NPN
• Isc
• THT
• 1500 V
• 5 А
• 40
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 1500

• Биполярные NPN
• China
• THT
• TO-3PML
• 5 А

• Биполярные NPN
• Rohm
• THT
• TO-126
• 20 V
• 5 А
• 390
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• SAN
• THT
• TO-220FP
• 50 V
• 5 А
• 280
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 60 V
• 5 А
• 20000
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• FUJI
• THT
• TO-3PML
• 800 V
• 5 А
• 10
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 900