Транзистори для електронних компонентів. Струм 5 А

• Інше
• DIODES
• SMD
• SOT223-8
• 17,5 V
• 5 А
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Jscj
• THT
• TO-220
• 100 V
• 5 А
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-220F
• 100 V
• 5 А
• 1000
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 100

• IGBT
• AOS
• SMD
• DPAK
• 650 V
• 5 А
• 28 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 14 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.57 | Час включення: 8.5ns | Час...

• Біполярні PNP
• ST
• SMD
• SOT223
• 40 V
• 5 А
• 50
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 350 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні PNP
• ST
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 5 А
• 350
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.35 | Напруга колектор-база, В: 60

• IGBT
• ST
• THT
• TO-220
• 600 V
• 5 А
• 62,5 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 18 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.45 | Час включення: 19ns | Час виключення: 160ns

• Біполярні PNP
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 100 V
• 5 А
• 100
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.42 | Напруга колектор-база, В: 140

• IGBT
• AOS
• SMD
• TO-252
• 600 V
• 5 А
• 21,7 W
• -55...+150°C

Примітка: Заряд затвора: 9.4 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.55 | Час включення: 27ns | Час...

• Біполярні NPN
• DIODES
• THT
• TO-92-3
• 60 V
• 5 А
• -55…+200°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 150

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-220
• 100 V
• 5 А
• 1000
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні NPN
• Fair
• THT
• TO-220
• 100 V
• 5 А
• 30 W
• 2000

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга колектор-база, В: 150

• Біполярні NPN
• DIODES
• SMD
• SOT223
• 150 V
• 5 А
• 300
• -55...+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 250

• Біполярні NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 450 V
• 5 А
• 25
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 12 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 1000

• Біполярні PNP
• ST
• THT
• TO-220
• 80 V
• 5 А
• 1000
• -65…+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2 | Напруга колектор-база, В: 80

• Інше
• Isc
• THT
• TO-220FP
• 450 V
• 5 А

• Інше
• MIT
• THT
• 5 А

• Біполярні NPN
• Nxp
• THT
• TO-220F
• 450 V
• 5 А
• 30
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 1000

• Біполярні NPN
• Isc
• THT
• 1500 V
• 5 А
• 40
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 1500

• Біполярні NPN
• China
• THT
• TO-3PML
• 5 А

• Біполярні NPN
• Rohm
• THT
• TO-126
• 20 V
• 5 А
• 390
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.25 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• SAN
• THT
• TO-220FP
• 50 V
• 5 А
• 280
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 60 V
• 5 А
• 20000
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• FUJI
• THT
• TO-3PML
• 800 V
• 5 А
• 10
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1 | Напруга колектор-база, В: 900