Транзисторы для электронных компонентов. Тип монтажа SMD. Корпус SOT323

• Биполярные NPN
• Rohm
• SMD
• SOT323
• 11 V
• 0,05 А
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 20

• Биполярные PNP
• Nexperia
• SMD
• SOT323
• 50 V
• …+175°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• ONS
• SMD
• SOT323
• 50 V
• 0,1 А
• 140
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT323
• 45 V
• 0,1 А
• 800
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT323
• 50 V
• 0,1 А
• 80
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.15 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT323
• 50 V
• 0,1 А
• 100
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Другое
• INFIN
• SMD
• SOT323
• 50 V
• 0,1 А
• 70
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT323
• 65 V
• 0,1 А
• 220
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT323
• 45 V
• 0,1 А
• 800
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• INFIN
• SMD
• SOT323
• 50 V
• 0,1 А
• 70
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT323
• 15 V
• 0,12 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 2.5 | Напряжение коллектор-база, В: 20

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT323
• 65 V
• 0,1 А
• 450
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT323
• 50 V
• 0,1 А
• 60
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT323
• 50 V
• 0,1 А
• 80
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 10 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.15 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• Nxp
• SMD
• SOT323
• 30 V
• 0,1 А
• 800
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 30

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT323
• 45 V
• 0,1 А
• 800
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT323
• 45 V
• 0,1 А
• 450
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.25 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Vishay
• SOT323
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 12 В
• 0,7 A
• 385 mOhm
• 270 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.5V / 250µA | Заряд затвора: 1.2 nC / 4.5V

• ONS
• SOT323
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 12 В
• 1,2 A
• 150 mOhm
• 290 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 430 pF / 15 V | Заряд затвора: 10.1 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS
• SOT323
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 0,34 A
• 1,6 Ohm
• 280 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 24.5 pF / 20 V | Заряд затвора: 0.7 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Nexperia
• SOT323
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 310mA A
• 1,6 Ohm
• 275 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.1V / 250µA | Ёмкость затвора: 50 pF / 10 V | Заряд затвора: 0.6 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• DIODES
• SOT323
• SMD
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 6 В
• 820mA A
• 750 mOhm
• 310 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 59.76 pF / 16 V | Заряд затвора: 0.622 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SOT323
• SMD
• Полевые P-канальные
• 20 V
• 8 В
• 1 A
• 135 mOhm
• 630 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 540 pF / 10 V | Заряд затвора: 6.2 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• SOT323
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 12 В
• 1,7 A
• 85 mOhm
• 350 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.4V / 250µA | Ёмкость затвора: 390 pF / 15 V | Заряд затвора: 4.82 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...