Транзисторы для электронных компонентов. Тип монтажа SMD. Hfe 50

• Биполярные PNP
• DIODES
• SMD
• SOT26
• 150 V
• 0,2 А
• 50
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 160

• Биполярные PNP
• ST
• SMD
• SOT223
• 40 V
• 5 А
• 50
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 350 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,1 А
• 50
• -65…+150°C

• Другое
• Nexperia
• SMD
• SOT363
• 50 V
• 0,1 А
• 50
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT223
• 300 V
• 0,05 А
• 50
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.8 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные NPN
• ZTX
• SMD
• SOT23
• 450 V
• 0,15 А
• 50
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.09 | Напряжение коллектор-база, В: 500

• Биполярные NPN
• NEX-NXP
• SMD
• SOT23
• 250 V
• 0,05 А
• 50
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 250

• Биполярные PNP
• Nxp
• SMD
• SOT23
• 300 V
• 0,05 А
• 50
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.8 | Напряжение коллектор-база, В: 300