Транзисторы для электронных компонентов

• Crmicro
• IGBT
• 600 V
• 120 A
• 60 A
• 1,85 V
• 403 Вт
• 117
• 180 А
• есть
• 152 нс
• 66 нс
• 80 н

• Infineon
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 60 A
• 30 A
• 187 Вт
• 1.95 V
• есть
• 120 А
• 120 А
• 207 нс
• 21 нс
• 38 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 165

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 336 Вт
• 1.9 V
• есть
• 120 А
• 120 А
• 178 нс
• 56 нс
• 48 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 239

• Silanmicro
• IGBT
• 600 V
• 40 A
• 20 A
• 2 V
• 155 Вт
• 60 А
• есть

• ST Microelectronics
• IGBT
• 600 V
• 25 A
• 14 A
• 1,85 V
• 80 Вт
• 35
• 50 А
• есть
• 72 нс
• 18,5 нс
• 37 н

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 67 A
• 48 A
• 1,6 V
• 246 Вт
• 177
• 120 А
• есть
• 222 нс
• 120 А
• 18 нс
• 144 н

• ST Microelectronics
• IGBT
• 600 V
• 7 A
• 28 A
• 1,95 V
• 24 Вт
• 46
• есть
• 160 нс
• 28 А
• 30 нс
• 136 н

• Crmicro
• IGBT
• 600 V
• 30 A
• 15 A
• 1,7 V
• 96 Вт
• 59
• 45 А
• есть
• 45 нс
• 40 А
• 30 нс
• 47 н

• Toshiba
• IGBT
• 600 V
• 50 A
• 44 A
• 1,55 V
• 230 Вт
• 100 А
• есть
• 330 нс
• 100 А
• 250 нс
• 350 н

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 41 A
• 30 A
• 2,5 V
• 250 Вт
• 141
• 112 А
• нет
• 291 нс
• 44 нс

• IGBT
• China
• TO-247
• 600 V
• 2.3 V
• 80 A
• 40 A

• IGBT
• Crmicro
• TO-3P
• 600 V
• 1.9 V
• 80 A
• 40 A
• 280 W

• 50 A
• 100 A
• 2.8 V
• 600 V
• TO-247-3
• IGBT

• 12 A
• 104 W
• 1.65 V
• 600 V
• Vbsemi
• TO-220
• IGBT

• Crmicro
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 120 A
• 60 A
• 483 Вт
• 1.85 V
• есть
• 180 А
• 180 А
• 152 нс
• 66 нс
• 57 н

Примечание: Полный заряд затвора, нКл: 117

• Infineon
• TO-247
• IGBT
• 600 V
• 53 A
• 38 A
• 200 Вт
• 1.6 V
• нет
• 90 А
• 179 нс
• 15 нс

Примечание: Маркировка: G30DTP | Полный заряд затвора, нКл: 130

• 7.7 A
• 14.3 A
• 34 W
• 1.66 V
• 600 V
• Ir
• TO-220
• IGBT

• Toshiba
• IGBT
• 600 V
• 30 A
• 2 V
• 170 Вт
• есть
• 30 нс
• 90 нс

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 40 A
• 22 A
• 2,05 V
• 220 Вт
• 68
• 80 А
• есть
• 115 нс
• 42 А
• 20 нс
• 42 н

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 100 A
• 50 A
• 1,85 V
• 333 Вт
• 315
• 200 А
• нет
• 235 нс
• 23 нс

• On Semiconductor
• IGBT
• 600 V
• 60 A
• 30 A
• 2,3 V
• 176 Вт
• 37,4
• 90 А
• есть
• 42,4 нс
• 6 А
• 12 нс
• 26 н

• Trinnotech
• IGBT
• 600 V
• 80 A
• 40 A
• 2,3 V
• 236 Вт
• 115
• 120 А
• есть
• 85 нс
• 40 нс
• 60 н

• Silanmicro
• IGBT
• 600 V
• 120 A
• 60 A
• 2,2 V
• 321 Вт
• 179
• 180 А
• есть
• 193 нс
• 36 нс
• 38 н

• Infineon
• IGBT
• 600 V
• 96 A
• 48 A
• 1,65 V
• 330 Вт
• 95
• 144 А
• есть
• 145 нс
• 175 А