Транзисторы для электронных компонентов. Страница 6

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-92L
• Биполярные PNP
• 50 V
• 50 V
• 2 А
• 5 V
• 100 MHz
• 0.9 Вт
• 120 - 240
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• SOT223
• Биполярные PNP
• 80 V
• 100 V
• 1 А
• 5 V
• 100 MHz
• 1.5 Вт
• 100 - 250
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Crmicro
• TO-220
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 150 А
• 120 А
• 2.8 мОм
• 5 мОм
• 1 ... 3 V
• 100 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Anhui FOSAN Semiconductor Technology Co., Ltd.
• SOT89
• Биполярные NPN
• 30 V
• 40 V
• 3 А
• 6 V
• 50 MHz
• 0.5 Вт
• 60 - 400
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• FM
• TSSOP8
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 12 V
• 6 / 6 А
• 5 / 5 А
• 22 / 22 мОм
• 0.5 ... 0.95 V
• 26 / 26 мОм
• 0.75 V
• 1.98 W

Примечание: Схема соединения: Общий сток

• 100 MHz
• 0.8 A
• 50 V
• 45 V
• Lge
• TO-92
• THT
• Биполярные NPN

• 100 MHz
• 120
• 1.5 A
• 40 V
• 25 V
• Fairchild
• TO-92
• SMD
• Биполярные NPN

• 125 W
• 200 В
• 20 В
• Infineon
• TO-220
• SMD
• Другое

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 650 V
• 120 А
• 319 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 262 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 135 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 18ns | ...

• Биполярные NPN
• MDD
• SMD
• SOT23
• -55...+150°C

• Биполярные PNP
• Не указан
• THT
• SOT23
• 25 V
• 1,5 А
• 400
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-92-3
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• Isc
• THT
• TO-3
• 450 V
• 15 А
• 8
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 1000

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 45 V
• 0,1 А
• 400
• -55...+150°C

• Не указан
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 25 В
• 120 A
• 7 mOhm
• 150 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3000 pF / 30 V | Заряд затвора: 72 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Vishay
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 8 В
• 3,9 A
• 31 mOhm
• 750 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 850mV / 250µA | Заряд затвора: 12 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 1,8V / 4,5V

• Vishay
• PPAK1212-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 12 A
• 24 mOhm
• 3.2 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 435 pF / 15 V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Umw

• Silan Microelectronics
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 900 V
• 30 В
• 9 A
• 1,28 Ohm
• 150 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 208 pF / 25 V | Заряд затвора: 67.8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 12 A
• 0,8 Ohm
• 51 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 155 pF / 25 V | Заряд затвора: 24.15 nC / 10 V

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 21 A
• 180 mOhm
• 188 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 83 pF / 50 V | Заряд затвора: 36 nC / 10 V

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 20 mOhm
• 85 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2050 pF / 30 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE