Транзисторы для электронных компонентов. Страница 6

• On Semiconductor
• Биполярные NPN
• 0,1 A
• 0,2 Вт
• 50 V
• 50 V
• 250 МГц
• 30

• Crmicro
• IGBT
• 600 V
• 30 A
• 15 A
• 1,7 V
• 96 Вт
• 59
• 45 А
• есть
• 45 нс
• 40 А
• 30 нс
• 47 н

• A&O
• Полевые N-канальные
• 5 A
• 7 A
• 100 В
• 17 W
• 20 В
• 10 A
• 52

• Другое

Примечание: TDSON-8

• Биполярные NPN

• Полевые N-канальные
• Umw
• SOT-23
• 50 V
• SMD
• 0.2 A

• Полевые N-канальные
• ST
• TO-220
• 600 V
• THT
• 4 A

• Полевые P-канальные
• Ir
• TO-220
• 55 V
• THT
• 74 A

• IGBT

• 12 A
• Alpha&Omega
• SO-8
• SMD
• 30 В
• 25 В
• 60 A
• 100 A

• UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
• SOT89
• Биполярные NPN
• 50 V
• 50 V
• 2 А
• 5 V
• 100 MHz
• 0.5 Вт
• 120 - 240
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Sptech
• TO-220
• Биполярные NPN + Diode
• 300 V
• 450 V
• 6 А
• 6 V
• 40 Вт
• min 500
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Биполярные NPN
• Не указан
• THT
• TO-92MOD
• 50 V
• 2 А
• 70
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-247
• 600 V
• 80 А
• 286 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 176 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 19ns | ...

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 298 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7

• Биполярные NPN
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 400 V
• 0,3 А
• 80
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 400

• Биполярные PNP
• Не указан
• THT
• TO-92-3
• 30 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• Isc
• THT
• TO-3
• 450 V
• 15 А
• 8
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 1000

• Биполярные NPN
• Hottech
• SMD
• SOT223
• 80 V
• 1 А
• 250
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Vishay
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 8 В
• 3,9 A
• 31 mOhm
• 750 mW
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 850mV / 250µA | Заряд затвора: 12 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных напряжений затвора: 1,8V / 4,5V

• Vbsemi
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 120 A
• 0,004 Ohm
• 250 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 3100 pF / 15 V | Заряд затвора: 257 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• TOS
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 12 В
• 6 A
• 42 mOhm
• 1 W
• …+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.2V / 1mA | Ёмкость затвора: 560 pF / 15 V | Заряд затвора: 8.2 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 25 В
• 9 A
• 480 mOhm
• 85 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 620 pF / 100 V | Заряд затвора: 17 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-252-4L
• SMD
• Другое
• 40 V
• 20 В
• 21 A
• 19 mOhm
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 1500 pF / 20 V | Заряд затвора: 24 nC / 10 V | Диапазон номинальных...