Транзисторы для электронных компонентов. Страница 5

• Не указан
• DFN-8
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 20 В
• 25 A
• 11 mOhm
• 35 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1V / 250µA | Ёмкость затвора: 150 pF / 10 V | Заряд затвора: 23 nC / 10 V

• YANGJIE TECHNOLOGY
• TO-252
• SMD
• Полевые P-канальные
• 100 V
• 20 В
• 18 A
• 90 mOhm
• 72 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 119 pF / 50 V | Заряд затвора: 20.1 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 400 V
• 30 В
• 10 A
• 600 mOhm
• 147 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 526 pF / 100 V | Заряд затвора: 30 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ST
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 25 В
• 13 A
• 280 mOhm
• 25 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 791 pF / 100 V | Заряд затвора: 21.5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• DPAK
• SMD
• Полевые P-канальные
• 40 V
• 20 В
• 40 A
• 14 mOhm
• 80 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 370 pF / 20 V | Заряд затвора: 72 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 6,5 mOhm
• 83 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 2330 pF / 15 V | Заряд затвора: 51 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• 0.1 А
• 50 V
• 45 V
• SOT-23
• SMD
• Биполярные NPN

Примечание: высоковольтный

• Luxinsemi
• IGBT
• 650 V
• 40 A
• 20 A
• 1,65 V
• 30,6 Вт
• 45
• 60 А
• есть
• 60 нс
• 20 нс
• 50 н

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 4,5 A
• 5,6 A
• 40 В
• 2,1 W
• 20 В
• 20 A
• 5,8

• ST Microelectronics
• Полевые N-канальные
• 12 A
• 18 A
• 650 В
• 30 W
• 25 В
• 72 A
• 29

• 800
• 0.1 A
• 45 V
• 50 V
• TO-92
• THT
• Биполярные NPN

• Другое

• 1000
• 5 A
• 80 V
• 80 V
• ST Microelectronics
• TO-220
• THT
• Биполярные NPN

• Полевые N-канальные
• On
• TO-220
• 900 V
• THT
• 2.3 A
• 740

• Полевые N-канальные
• Ir
• D-Pak (TO-252)
• 100 V
• SMD
• 63 A
• 3980

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-247AC
• 200 V
• THT
• 50 A
• 4057

• NPN
• TO-92-3

Примечание: Комплементарная пара: SS8550 | Рассеиваемая мощность: 1 Вт. | Напряжение КЭ максимальное: 25 В. | Ток коллектора: 1,5 А | Граничная...

• Другое
• A&O
• DFN-EP (3.3x3.3)
• SMD
• 20 В
• 8 В
• 50 А
• 200 A
• 83 W

Примечание: Рассеиваемая мощность при 100°C (Pd(100°C)), Вт: 33 | Сопротивление сток-исток при 4,5V (Rdson), Ом: 0.005 | Сопротивление сток-исток при...

• EG Micro

Примечание: Категория продукта:: Драйверы затвора IGBT, MOSFET | Монтаж:: SMD | Тип корпуса:: SO8 | Напряжение питания - мин.:: 10 V | Напряжение...

• Полевые N-канальные
• Infineon
• TO220F
• 20.2 А
• 12.7 A
• 0.171 Ом
• 4 V
• 3.5 ... 4.5 V
• 34 W

• Полевые P-канальные
• Umw
• SOT23
• -4.2 А
• -3.5 A
• 50 мОм
• 65 мОм
• 0.12 Ом
• -0.4 ... 1.3 V
• 1.4 W

• ONS
• Полевые N-канальные

• VG semi
• TO220
• Полевые N-канальные
• 80 V
• 25 V
• 160 А
• 113 А
• 4.5 мОм
• 2.6 ... 3.6 V
• 3.1 V
• 259 Вт