Транзисторы для электронных компонентов. Страница 5

• Полевые N-канальные
• Infineon
• D-Pak (TO-252)
• 55 V
• SMD
• 42 A
• 1570

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-220
• 60 V
• THT
• 210 A
• 6540

• SOT-23
• Биполярные NPN
• 25 V
• 40 V
• 1,5 А
• 6 V
• 100 MHz
• 0.3 Вт
• 120 - 400
• SMD

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Infineon
• TO-247
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 20 V
• 48 А
• 30 А
• 3 ... 4 V
• 3.5 V
• 164 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• 100..300
• 0.8 A
• 0,625 Вт
• 60 V
• 60 V
• 5 V
• Биполярные PNP
• 200 МГц

• 0.83
• 60 В
• 20 В
• On Semiconductor

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-92-3
• 40 V
• 0,6 А
• 375
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• Биполярные NPN
• Cdil
• THT
• TO-18
• 40 V
• 0,8 А
• 300
• -65…+200°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 75

• VISH/IR
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 400 V
• 30 В
• 10 A
• 600 mOhm
• 147 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 526 pF / 100 V | Заряд затвора: 30 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Umw
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 50 A
• 18 mOhm
• 105 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 2928 pF / 25 V | Заряд затвора: 50 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Silan Microelectronics
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 12 A
• 0,8 Ohm
• 51 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 155 pF / 25 V | Заряд затвора: 24.15 nC / 10 V

• ONS-FAIR
• TO-3P(N)
• THT
• Полевые N-канальные
• 150 V
• 25 В
• 70 A
• 28 mOhm
• 330 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 5400 pF / 25 V | Заряд затвора: 175 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• NCE
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 28 A
• 130 mOhm
• 260 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.3V / 250µA | Ёмкость затвора: 120 pF / 50 V | Заряд затвора: 37.5 nC / 10 V

• NCE
• DPAK
• SMD
• Полевые P-канальные
• 60 V
• 20 В
• 50 A
• 28 mOhm
• 95 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 719 pF / 25 V | Заряд затвора: 75 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Huayi
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 160 A
• 4,5 mOhm
• 200 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2506 pF / 25 V | Заряд затвора: 119 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Crmicro
• TO-3P
• THT
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 25 A
• 0,21 Ohm
• 300 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 3487 pF / 25 V | Заряд затвора: 64 nC / 10 V

• Другое

• On Semiconductor
• SuperSOT6
• Другое
• 30 В
• 20 В
• 1.6 W
• THT

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 6.3 | Полный заряд затвора, нКл: 9 | | Сопротивление сток-исток при 10V...

• 4.9 A
• 22.3
• 30 V
• SO-8
• SMD
• Полевые P-канальные

Примечание: высоковольтный

• NEC
• Биполярные PNP
• 2 A
• 1,2 Вт
• 50 V
• 50 V
• 5 V
• 100 МГц
• 80..200

• Luguang Electronic
• Полевые N-канальные
• 7,6 A
• 12 A
• 650 В
• 33,2 W
• 30 В
• 48 A
• 50,5

• A&O
• Полевые N-канальные
• 8,5 A
• 10,5 A
• 30 В
• 3,1 W
• 20 В
• 500 A
• 15

• A&O
• Полевые P-канальные
• 31 A
• 40 A
• 40 В
• 62,5 W
• 20 В
• 115 A
• 55