Транзисторы для электронных компонентов. Pd 25 500 W

• IGBT
• INFIN
• THT
• SUPER247
• 1200 V
• 80 А
• 500 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 190 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2 | Время включения: 30ns | ...

• IGBT
• LUXIN
• THT
• TO-247
• 650 V
• 75 А
• 500 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 130 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 75ns | ...

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-247
• 1300 V
• 60 А
• 500 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 78 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.9

• INFIN
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 20 В
• 68,5 A
• 0,041 Ohm
• 500 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 3.3mA | Ёмкость затвора: 400 pF / 100 V | Заряд затвора: 300 nC / 10 V

• A&O
• TO-220
• Другое
• 100 В
• 500 A
• 20 В
• 500 W
• THT

Примечание: Тип канала: N | Максимальный ток сток-исток при 25°С (Id), А: 140 | Максимальный ток сток-исток при 100°С (Id(100°С)), А: 110 | Полный...

• Ixys
• Полевые N-канальные
• 26 A
• 500 В
• 500 W
• 30 В
• 78 A
• 42

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 35 A
• 59 A
• 300 В
• 500 W
• 30 В
• 236 A
• 100

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 27 A
• 600 В
• 500 W
• 30 В
• 180