Транзисторы для электронных компонентов. Vce 360 V

• IGBT
• Renesas
• SMD
• TO-252
• 360 V
• 30 А
• 40 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 23 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 20ns | Время выключения: 40ns

• IGBT
• ST
• SMD
• DPAK
• 360 V
• 25 А
• 125 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 29 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.35 | Время включения: 650ns |...

• Биполярные NPN
• HIT
• THT
• 360 V
• 0,1 А
• 200
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 400