Транзисторы для электронных компонентов

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PL
• 600 V
• 50 А
• 130 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-3PL
• 600 V
• 10 А
• 30
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 1700

• IGBT
• TO-3PL
• 600 V
• 3.0 V
• 37 A
• 15 A
• 140 W