Транзисторы для электронных компонентов. Pd 25 259 W

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 259 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 67 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Время включения: 23ns | ...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1,25 V
• 40 А
• 259 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 68 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.55 | Время выключения: 106ns

• TI
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 40 V
• 20 В
• 100 A
• 2,9 mOhm
• 259 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.1V / 250µA | Ёмкость затвора: 4680 pF / 20 V | Заряд затвора: 62 nC / 10 V | Диапазон номинальных...