Транзистори для електронних компонентів

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1200 V
• 30 А
• 259 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 67 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.5 | Час включення: 23ns | Час виключення:...

• IGBT
• ST
• THT
• TO-247
• 1,25 V
• 40 А
• 259 W
• -55…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 68 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.55 | Час виключення: 106ns

• TI
• TO-220
• THT
• Польові N-канальні
• 40 V
• 20 В
• 100 A
• 2,9 mOhm
• 259 W
• -55…+175°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 2.1V / 250µA | Ємність затвора: 4680 pF / 20 V | Заряд затвора: 62 nC / 10 V | Діапазон номінальних напруг...