Транзисторы для электронных компонентов. Корпус TO-251

• Полевые P-канальные
• On
• TO-251
• 60 V
• THT
• 7.6 A
• 690

• Silan Microelectronics
• TO-251
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 30 В
• 7 A
• 1,4 Ohm
• 90 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 789 pF / 25 V | Заряд затвора: 21.2 nC / 10 V

• Биполярные NPN
• Fair
• THT
• TO-251
• 100 V
• 8 А
• 1,75 W
• 100

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• ST
• TO-251
• THT
• Полевые N-канальные
• 950 V
• 30 В
• 4 A
• 3,5 Ohm
• 90 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 100µA | Ёмкость затвора: 460 pF / 25 V | Заряд затвора: 19 nC / 10 V

• Crmicro
• TO-251
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 21 A
• 33 mOhm
• 31 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.8V / 250µA | Ёмкость затвора: 56.9 pF / 30 V | Заряд затвора: 5.6 nC / 10 V

• Биполярные NPN
• Sanyo
• TO-251
• 400 MHz
• 50 V
• 80 V
• 5 A
• 560
• THT

• Полевые P-канальные
• Siliconix
• TO-251
• 60 V
• SMD
• 8.8 A

• Полевые P-канальные
• Ir
• TO-251
• 200 V
• THT
• 1.9 A

• Полевые N-канальные
• Fairchild
• TO-251
• 200 V
• THT
• 2.9 A

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-251
• 55 V
• THT
• 17 A
• 480

• Биполярные PNP
• TO-251
• 120 MHz
• 160 V
• 180 V
• 1.5 A

• Полевые N-канальные
• Ir
• TO-251
• 55 V
• THT
• 17 A
• 370