Транзисторы для электронных компонентов. Vce 400 V

• Биполярные NPN
• Isc
• THT
• TO-3PN
• 400 V
• 12 А
• 5
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 400 V
• 8 А
• 400
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 8 | Напряжение коллектор-база, В: 800

• Биполярные NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 400 V
• 8 А
• 39
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 3 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• IGBT
• ONS
• THT
• TO-220
• 400 V
• 21 А
• 150 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 17 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 12 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время выключения: 4.8us

• Биполярные NPN
• CS
• SMD
• SOT23
• 400 V
• 0,3 А
• 20
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.75 | Напряжение коллектор-база, В: 450

• Биполярные NPN
• Diotec
• SMD
• SOT23
• 400 V
• 0,3 А
• 80
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 400

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220F
• 400 V
• 8 А
• 60
• -50…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• Биполярные NPN
• Diotec
• THT
• TO-92-3
• 400 V
• 0,3 А
• 200
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 500

• Биполярные NPN
• ST
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 400 V
• 1,5 А
• 35
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• Биполярные PNP
• ST
• THT
• TO-92-3
• 400 V
• 1 А
• 32
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 500

• Биполярные PNP
• ST
• SMD
• SOT223
• 400 V
• 1,5 А
• 32
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5

• IGBT
• ONS-FAIR
• SMD
• D2PAK
• 400 V
• 21 А
• 150 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 17 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.58 | Время выключения: 4.8us

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220
• 400 V
• 8 А
• 8
• -65…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• Биполярные PNP
• ONS-FAIR
• THT
• TO-92-3
• 400 V
• 0,3 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 400

• Биполярные NPN
• DIODES
• SMD
• SOT23
• 400 V
• 0,225 А
• 300
• -55...+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 400

• Биполярные NPN
• ST
• THT
• TO-247
• 400 V
• 15 А
• 135 W
• 300

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5

• Биполярные NPN
• SAN
• THT
• TO-220
• 400 V
• 10 А
• 50
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.8 | Напряжение коллектор-база, В: 500