Транзисторы для электронных компонентов. Температурный диапазон -50…+150°C

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-220F
• 400 V
• 8 А
• 60
• -50…+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• MDD
• SOT23-3
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 5,8 A
• 30 mOhm
• 1.4 W
• -50…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3V / 250µA | Ёмкость затвора: 820 pF / 15 V | Заряд затвора: 9.7 nC / 4.5 V

• AOS
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 2,6 A
• 2,3 Ohm
• 104 W
• -50…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 640 pF / 25 V | Заряд затвора: 14.5 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 30 В
• 1,6 A
• 3,5 Ohm
• 56.8 W
• -50…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 370 pF / 25 V | Заряд затвора: 12 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 600 V
• 20 В
• 0,8 A
• 9 Ohm
• 45 W
• -50…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 160 pF / 25 V | Заряд затвора: 8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• TO-252
• SMD
• Полевые N-канальные
• 500 V
• 30 В
• 2,8 A
• 3 Ohm
• 57 W
• -50…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 331 pF / 25 V | Заряд затвора: 8 nC / 10 V | Диапазон номинальных...