Транзисторы для электронных компонентов. Pd 25 238 W

• IGBT
• ONS-FAIR
• THT
• TO-3P[N]
• 650 V
• 60 А
• 238 W
• -55…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 54.7 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.6 | Время включения: 14.4ns...

• NEC
• Полевые N-канальные
• 255 A
• 300 A
• 30 В
• 238 W
• 20 В
• 1441 A
• 38,2