Транзисторы для электронных компонентов. Pd 25 135 W

• IGBT
• NCE
• THT
• TO-220
• 600 V
• 40 А
• 135 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 97 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7 | Время включения: 18ns | ...

• Биполярные NPN
• ST
• THT
• TO-247
• 400 V
• 15 А
• 135 W
• 300

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5

• Vbsemi
• D2PAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 75 V
• 20 В
• 9 A
• 16 mOhm
• 135 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1857 pF / 25 V | Заряд затвора: 42 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• ONS-FAIR
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 400 V
• 30 В
• 10,5 A
• 530 mOhm
• 135 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 1090 pF / 25 V | Заряд затвора: 35 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Fair
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 65 A
• 16 mOhm
• 135 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2170 pF / 25 V | Заряд затвора: 43 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 9 A
• 50 A
• 75 В
• 135 W
• 20 В
• 31

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 113 A
• 160 A
• 30 В
• 135 W
• 20 В
• 640 A
• 39

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 160 A
• 30 В
• 135 W
• 20 В
• 39

• Wayon
• Полевые N-канальные
• 10,5 A
• 18 A
• 600 В
• 135 W
• 30 В
• 40 A
• 22,1