Транзисторы для электронных компонентов. Сопротивление 2,2 mOhm

• SILIUP
• TO-247
• THT
• Полевые N-канальные
• 100 V
• 20 В
• 300 A
• 2,2 mOhm
• 360 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 9625 pF / 50 V | Заряд затвора: 160 nC / 10 V

• NCE
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 20 В
• 200 A
• 2,2 mOhm
• 255 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 3.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 1900 pF / 30 V | Заряд затвора: 130 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 29 A
• 2,2 mOhm
• 2.8 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 250µA | Ёмкость затвора: 5640 pF / 15 V | Заряд затвора: 65 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Ir
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 20 V
• 20 В
• 30 A
• 2,2 mOhm
• 2.8 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.45V / 250µA | Ёмкость затвора: 5040 pF / 10 V | Заряд затвора: 57 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• DPAK
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 90 A
• 2,2 mOhm
• 125 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 100µA | Ёмкость затвора: 4945 pF / 15 V | Заряд затвора: 54 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• INFIN
• DirectFET
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 170 A
• 2,2 mOhm
• 2.8 W
• -40…+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.35V / 100µA | Ёмкость затвора: 4700 pF / 15 V | Заряд затвора: 54 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• AOS
• 8-DFN-EP(3x3)
• SMD
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 В
• 50 A
• 2,2 mOhm
• 56 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.2V / 250µA | Ёмкость затвора: 6360 pF / 15 V | Заряд затвора: 150 nC / 10 V | Диапазон номинальных...