Транзисторы для электронных компонентов

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 298 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 30 А
• 38 W
• -40…+175°C

Примечание: Заряд затвора: 25 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 30 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 32ns | ...

• Xiner
• IGBT
• 600 V
• 20 A
• 1,7 V
• 20 А
• есть

• Xiner
• TO-3P
• IGBT + Diode
• 600 V
• 40 А
• 80 А
• 20 V

Примечание: Схема соединения: Одиночный