Транзистори для електронних компонентів

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 298 W
• …+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 30 А
• 38 W
• -40…+175°C

Примітка: Заряд затвора: 25 nC | Напруга затвор - емітер, В: 30 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 32ns | Час виключення:...

• Xiner
• TO-3P
• IGBT + Diode
• 600 V
• 40 А
• 80 А
• 20 V

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Xiner
• IGBT
• 600 V
• 20 A
• 1,7 V
• 20 А
• є