Транзисторы для электронных компонентов. Корпус TO-200AB

• IGBT
• INFIN
• THT
• TO-200AB
• 600 V
• 12 А
• 100 W
• -55...+150°C

Примечание: Заряд затвора: 51 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.7 | Время включения: 25ns | ...

• Биполярные PNP
• ST
• THT
• TO-200AB
• 80 V
• 10 А
• 80
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1

• INFIN
• TO-200AB
• THT
• Полевые N-канальные
• 55 V
• 20 В
• 75 A
• 7,5 mOhm
• 140 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 4V / 250µA | Ёмкость затвора: 2840 pF / 25 V | Заряд затвора: 95 nC / 10 V | Диапазон номинальных...