Транзисторы для электронных компонентов

• ST Microelectronics
• TO-220F
• Биполярные PNP+Di
• 100 V
• 100 V
• 5 А
• 5 V
• 30 Вт
• min 1000
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-220F
• Биполярные PNP+Di
• 100 V
• 100 V
• 5 А
• 5 V
• 30 Вт
• min 1000
• THT

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• ST Microelectronics
• Биполярные NPN
• 2 A
• 30 Вт
• 100 V
• 115 V
• 5 V
• 40

• On Semiconductor
• Биполярные PNP
• 1 A
• 30 Вт
• 80 V
• 80 V
• 5 V
• 3 МГц
• 10..150

• On Semiconductor
• Биполярные PNP
• 1 A
• 30 Вт
• 100 V
• 100 V
• 5 V
• 3 МГц
• 15..75

• Toshiba
• IGBT
• 600 V
• 15 A
• 8 A
• 1,5 V
• 30 Вт
• 60 А
• есть
• 170 нс
• 60 нс
• 80 н

• On Semiconductor
• Биполярные NPN
• 1 A
• 30 Вт
• 80 V
• 80 V
• 5 V
• 3 МГц
• 10..150