Транзистори для електронних компонентів

• On Semiconductor
• Біполярні PNP
• 1 A
• 30 Вт
• 100 V
• 100 V
• 5 V
• 3 МГц
• 15..75

• ST Microelectronics
• TO-220F
• Біполярні PNP+Di
• 100 V
• 100 V
• 5 А
• 5 V
• 30 Вт
• min 1000
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• Jiangsu Changjiang Electronics Technology
• TO-220F
• Біполярні PNP+Di
• 100 V
• 100 V
• 5 А
• 5 V
• 30 Вт
• min 1000
• THT

Примітка: Схема з'єднання: Одиночний

• ST Microelectronics
• Біполярні NPN
• 2 A
• 30 Вт
• 100 V
• 115 V
• 5 V
• 40

• On Semiconductor
• Біполярні PNP
• 1 A
• 30 Вт
• 80 V
• 80 V
• 5 V
• 3 МГц
• 10..150

• Toshiba
• IGBT
• 600 V
• 15 A
• 8 A
• 1,5 V
• 30 Вт
• 60 А
• є
• 170 нс
• 60 нс
• 80 н

• On Semiconductor
• Біполярні NPN
• 1 A
• 30 Вт
• 80 V
• 80 V
• 5 V
• 3 МГц
• 10..150