Транзисторы для электронных компонентов. Температурный диапазон …+150°C

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• Jscj
• THT
• TO-220
• 100 V
• 5 А
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные PNP
• Rohm
• SMD
• SC-96
• 60 V
• 2 А
• 120
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Другое
• Не указан
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 3 А
• 560
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.19 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Не указан
• THT
• TO-92MOD
• 50 V
• 2 А
• 70
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 50 А
• …+150°C

• Биполярные NPN
• Isc
• THT
• TO-3PN
• 400 V
• 12 А
• 5
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• Биполярные PNP
• ST
• SMD
• SOT223
• 40 V
• 5 А
• 50
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 350 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-126
• 80 V
• 1,5 А
• 40
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PL
• 600 V
• 50 А
• 130 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.1

• Биполярные NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 400 V
• 8 А
• 39
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 3 | Напряжение коллектор-база, В: 700

• Биполярные PNP
• ST
• SMD
• SOT23
• 500 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 500

• Биполярные NPN
• Rohm
• SMD
• SOT323
• 11 V
• 0,05 А
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 20

• Другое
• INFIN
• SMD
• SOT363
• 50 V
• 0,1 А
• 70
• …+150°C

• Биполярные NPN
• Rohm
• SMD
• SOT723
• 11 V
• 0,05 А
• 180
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 11

• Биполярные PNP
• Utc
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 2 А
• 120
• …+150°C

• Биполярные NPN
• ST
• SMD
• SOT23
• 500 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение коллектор-база, В: 500

• Биполярные PNP
• ST
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 5 А
• 350
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.35 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 208,3 W
• …+150°C

Примечание: Заряд затвора: 87 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 54ns | ...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-3PFM
• 600 V
• 60 А
• …+150°C

Примечание: Время включения: 45ns | Время выключения: 70ns

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 260,4 W
• …+150°C

Примечание: Заряд затвора: 74 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 53ns | Время выключения: 90ns

• Биполярные NPN
• ST
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 3 А
• 80
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.18 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 1 V
• 50 А
• 156 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение затвор - эмиттер, В: 25 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.2 | Время включения: 0.33us | Время выключения:...

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 298 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7