Транзисторы для электронных компонентов

• Биполярные PNP
• Utc
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 2 А
• 120
• …+150°C

• Биполярные PNP
• Не указан
• THT
• SOT23
• 25 V
• 1,5 А
• 400
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные NPN
• Не указан
• THT
• TO-92MOD
• 50 V
• 2 А
• 70
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 298 W
• …+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.7

• Биполярные PNP
• Не указан
• THT
• TO-92-3
• 30 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.6 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• TOS
• SOT-23
• SMD
• Полевые P-канальные
• 30 V
• 12 В
• 6 A
• 42 mOhm
• 1 W
• …+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.2V / 1mA | Ёмкость затвора: 560 pF / 15 V | Заряд затвора: 8.2 nC / 4.5 V | Диапазон номинальных...

• Биполярные PNP
• Cdil
• THT
• TO-126
• 100 V
• 4 А
• 750
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 2.5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные PNP
• Utc
• THT
• TO-92-3FORM
• 300 V
• 0,5 А
• 80
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные NPN
• ST
• SMD
• SOT23
• 500 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напряжение коллектор-база, В: 500

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• Fair
• SMD
• SOT23
• 300 V
• 0,5 А
• 40
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные NPN
• ST
• THT
• TO-220
• 100 V
• 1 А
• 75
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные NPN
• Nxp
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 3 А
• 700
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.28 | Напряжение коллектор-база, В: 50

• Биполярные NPN
• Renesas
• THT
• TO-126
• 30 V
• 3 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• Rohm
• SMD
• MPT3
• 50 V
• 3 А
• 270
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.13 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные PNP
• Utc
• THT
• TO-126
• 30 V
• 3 А
• 400
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• Не указан
• THT
• SOT89
• 120 V
• 0,8 А
• 80
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные PNP
• Не указан
• THT
• TO-92MOD
• 160 V
• 1 А
• 200
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Напряжение коллектор-база, В: 160

• Vbsemi
• TO-220F
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 20 A
• 0,19 Ohm
• 200 W
• …+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V | Ёмкость затвора: 105 pF | Заряд затвора: 71 nC

• ST
• TO-220
• THT
• Полевые N-канальные
• 650 V
• 25 В
• 8,5 A
• 430 mOhm
• 70 W
• …+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 5V / 250µA | Ёмкость затвора: 900 pF / 100 V | Заряд затвора: 22 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• Биполярные PNP
• Jscj
• THT
• TO-220
• 100 V
• 5 А
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• Биполярные PNP
• Rohm
• SMD
• SC-96
• 60 V
• 2 А
• 120
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.2 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Другое
• Не указан
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 3 А
• 560
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.19 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• TOS
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 50 А
• …+150°C