Транзисторы для электронных компонентов

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 120 V
• 0,05 А
• 800
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.3 | Напряжение коллектор-база, В: 120

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• TO-126
• 300 V
• 0,5 А
• 30
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напряжение коллектор-база, В: 3

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-126
• 160 V
• 1,2 А
• 320
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.7 | Напряжение коллектор-база, В: 160

• Биполярные PNP
• ONS
• THT
• TO-126
• 60 V
• 1,5 А
• 250
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 25 V
• 1,5 А
• 300
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 40

• Биполярные PNP
• ONS
• SMD
• SOT223
• 300 V
• 0,05 А
• 50
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.8 | Напряжение коллектор-база, В: 300

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-225
• 80 V
• 3 А
• 160
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.8 | Напряжение коллектор-база, В: 80

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• TO-126
• 60 V
• 1,5 А
• 250
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.5 | Напряжение коллектор-база, В: 60

• Биполярные NPN
• ONS
• THT
• I-Pak
• 50 V
• 8 А
• 560
• …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.83 | Напряжение коллектор-база, В: 100

• ONS
• SOT-23
• SMD
• Полевые N-канальные
• 25 V
• 400 mW
• …+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 1.8V / 100µA | Ёмкость затвора: 6 pF / 5 V