Транзистори для електронних компонентів

• Біполярні PNP
• Utc
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 2 А
• 120
• …+150°C

• Біполярні NPN
• Не вказано
• THT
• TO-92MOD
• 50 V
• 2 А
• 70
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Не вказано
• THT
• SOT23
• 25 V
• 1,5 А
• 400
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 40

• IGBT
• Xiner
• THT
• TO-220F
• 600 V
• 40 А
• 298 W
• …+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7

• Біполярні PNP
• Не вказано
• THT
• TO-92-3
• 30 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.6 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні NPN
• INFIN
• SMD
• SOT23
• 50 V
• 0,5 А
• 60
• …+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні NPN
• Renesas
• THT
• TO-126
• 30 V
• 3 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• TOS
• SOT-23
• SMD
• Польові P-канальні
• 30 V
• 12 В
• 6 A
• 42 mOhm
• 1 W
• …+150°C

Примітка: Порогова напруга на затворі: 1.2V / 1mA | Ємність затвора: 560 pF / 15 V | Заряд затвора: 8.2 nC / 4.5 V | Діапазон номінальних напруг...

• Інше
• Не вказано
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 3 А
• 560
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.19 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 400 V
• 8 А
• 39
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 700

• Біполярні PNP
• Rohm
• SMD
• MPT3
• 50 V
• 3 А
• 270
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.15 | Напруга колектор-база, В: 50

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247AC
• 600 V
• 90 А
• 329 W
• …+150°C

Примітка: Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.75 | Час включення: 63ns | Час виключення: 142ns

• Біполярні PNP
• Cdil
• THT
• TO-126
• 100 V
• 4 А
• 750
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.5 | Напруга колектор-база, В: 100

• Інше
• Rohm
• SMD
• SOT363
• 0,3 V
• 0,1 А
• 68
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 1.4

• Біполярні NPN
• ST
• THT
• TO-220
• 100 V
• 1 А
• 75
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.7 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні NPN
• Nxp
• SMD
• SOT89
• 50 V
• 3 А
• 700
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.28 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• Utc
• THT
• TO-92-3FORM
• 300 V
• 0,5 А
• 80
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 300

• Біполярні NPN
• Rohm
• SMD
• MPT3
• 50 V
• 3 А
• 270
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.13 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні PNP
• Не вказано
• THT
• SOT89
• 120 V
• 0,8 А
• 80
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 120

• Біполярні PNP
• Jscj
• THT
• TO-220
• 100 V
• 5 А
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 100

• Біполярні PNP
• Rohm
• SMD
• SC-96
• 60 V
• 2 А
• 120
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.2 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• TOS
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 50 А
• …+150°C

• Біполярні NPN
• Isc
• THT
• TO-3PN
• 400 V
• 12 А
• 5
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напруга колектор-база, В: 700

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3P[N]
• 600 V
• 30 А
• 120 W
• …+150°C

Примітка: Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.7 | Час включення: 0.30us | Час виключення: 0.50us