Транзистори для електронних компонентів. Сторінка 2

• Біполярні PNP
• ST
• SMD
• SOT223
• 40 V
• 5 А
• 50
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 350 | Напруга колектор-база, В: 40

• Біполярні PNP
• Cdil
• THT
• TO-126
• 80 V
• 1,5 А
• 40
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 80

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PL
• 600 V
• 50 А
• 130 W
• …+150°C

Примітка: Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.1

• Біполярні PNP
• ST
• SMD
• SOT23
• 500 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 500

• Біполярні NPN
• Rohm
• SMD
• SOT323
• 11 V
• 0,05 А
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 20

• Інше
• INFIN
• SMD
• SOT363
• 50 V
• 0,1 А
• 70
• …+150°C

• Біполярні NPN
• Rohm
• SMD
• SOT723
• 11 V
• 0,05 А
• 180
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.5 | Напруга колектор-база, В: 11

• Біполярні NPN
• ST
• SMD
• SOT23
• 500 V
• 0,5 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 9 | Напруга колектор-база, В: 500

• Біполярні PNP
• ST
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 5 А
• 350
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.35 | Напруга колектор-база, В: 60

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-247
• 600 V
• 60 А
• 208,3 W
• …+150°C

Примітка: Заряд затвора: 87 nC | Напруга затвор - емітер, В: 20 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.5 | Час включення: 54ns | Час виключення:...

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-3PFM
• 600 V
• 60 А
• …+150°C

Примітка: Час включення: 45ns | Час виключення: 70ns

• IGBT
• Renesas
• THT
• TO-3P
• 600 V
• 80 А
• 260,4 W
• …+150°C

Примітка: Заряд затвора: 74 nC | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 1.8 | Час включення: 53ns | Час виключення: 90ns

• Біполярні NPN
• ST
• SMD
• SOT223
• 60 V
• 3 А
• 80
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 6 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.18 | Напруга колектор-база, В: 80

• Біполярні NPN
• Rohm
• SMD
• TO-252(DPAK)
• 60 V
• 5 А
• …+150°C

Примітка: Напруга колектор-база, В: 100

• IGBT
• TOS
• THT
• TO-3PN
• 1 V
• 50 А
• 156 W
• …+150°C

Примітка: Напруга затвор - емітер, В: 25 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 2.2 | Час включення: 0.33us | Час виключення: 0.70us

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-225
• 300 V
• 0,5 А
• 240
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 300

• Біполярні NPN
• Cdil
• THT
• TO-126
• 60 V
• 1,5 А
• 250
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні NPN
• ONS-FAIR
• THT
• TO-220
• 60 V
• 3 А
• 300
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 7 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.4 | Напруга колектор-база, В: 60

• Біполярні PNP
• Rohm
• SMD
• SOT23
• 0,5 А
• …+150°C

• Біполярні PNP
• TOS
• SMD
• SC59-3
• 50 V
• 0,15 А
• 400
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 50

• Біполярні PNP
• ONS
• THT
• TO-92-3FORM
• 120 V
• 0,05 А
• 800
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напруга насиченості колектор-емітер, В: 0.3 | Напруга колектор-база, В: 120

• Біполярні PNP
• ONS
• SMD
• TO-126
• 300 V
• 0,5 А
• 30
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 3

• Біполярні NPN
• ST
• THT
• TO-126
• 300 V
• 0,5 А
• 30
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 3 | Напруга колектор-база, В: 3

• Біполярні NPN
• INFIN
• SMD
• SOT-343-4
• 4 V
• 0,025 А
• …+150°C

Примітка: Напряжение эмиттер-база, В: 1.2 | Напруга колектор-база, В: 13