• Популярные
  • Время добавления
  • Цена
Транзистор IGBT RJH60T04DPQ-A1#T0

Транзистор IGBT RJH60T04DPQ-A1#T0

4

Код: 627851

  • IGBT
  • Renesas
  • THT
  • TO-247
  • 600 V
  • 60 А
  • 208,3 W
  • …+150°C

Примечание: Заряд затвора: 87 nC | Напряжение затвор - эмиттер, В: 20 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.5 | Время включения: 54ns | ...

В наличии

Транзистор IGBT RJP60F4DPM-00#T1

Транзистор IGBT RJP60F4DPM-00#T1

4

Код: 627567

  • IGBT
  • Renesas
  • THT
  • TO-3PFM
  • 600 V
  • 60 А
  • …+150°C

Примечание: Время включения: 45ns | Время выключения: 70ns

В наличии

Транзистор IGBT RJP60F5DPK-01#T0

Транзистор IGBT RJP60F5DPK-01#T0

5

Код: 627829

  • IGBT
  • Renesas
  • THT
  • TO-3P
  • 600 V
  • 80 А
  • 260,4 W
  • …+150°C

Примечание: Заряд затвора: 74 nC | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.8 | Время включения: 53ns | Время выключения: 90ns

В наличии

Транзистор IGBT RJH60F7DPQ-A0#T0

Транзистор IGBT RJH60F7DPQ-A0#T0

5

Код: 627928

  • IGBT
  • Renesas
  • THT
  • TO-247AC
  • 600 V
  • 90 А
  • 329 W
  • …+150°C

Примечание: Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 1.75 | Время включения: 63ns | Время выключения: 142ns

В наличии

Транзистор биполярный 2SD882

Транзистор биполярный 2SD882

5

Код: 628136

  • Биполярные NPN
  • Renesas
  • THT
  • TO-126
  • 30 V
  • 3 А
  • 300
  • …+150°C

Примечание: Напряжение эмиттер-база, В: 5 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В: 0.4 | Напряжение коллектор-база, В: 60

В наличии

Страница 1 из 1