Транзисторы для электронных компонентов

• On Semiconductor
• SO-8 FL
• Полевые N-канальные
• 30 V
• 20 V
• 79 А
• 50 А
• 2.9 мОм
• 3.9 мОм
• 1.2 ... 2.2 V
• 1.6 V
• 43 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• Fairchild
• TO-220F
• Полевые N-канальные
• 250 V
• 30 V
• 15.6 А
• 9.8 А
• 2 ... 4 V
• 43 W

Примечание: Схема соединения: Одиночный

• YANGJIE TECHNOLOGY
• DFN3x3
• SMD
• Полевые P-канальные
• 100 V
• 20 В
• 15 A
• 120 mOhm
• 43 W
• -55...+150°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2.5V / 250µA | Ёмкость затвора: 119 pF / 50 V | Заряд затвора: 20.1 nC / 10 V | Диапазон номинальных...

• VISH/IR
• TO-220AB
• THT
• Полевые N-канальные
• 60 V
• 10 В
• 40 A
• 200 mOhm
• 43 W
• -55…+175°C

Примечание: Пороговое напряжение на затворе: 2V / 250µA | Ёмкость затвора: 400 pF / 25 V | Заряд затвора: 8.4 nC / 5 V | Диапазон номинальных...

• On Semiconductor
• Полевые N-канальные
• 10,7 A
• 36 A
• 20 В
• 43 W
• 12 В
• 100 A

• Infineon
• Полевые N-канальные
• 5 A
• 200 В
• 43 W
• 20 В
• 15

• Vishay
• Полевые P-канальные
• 4 A
• 100 В
• 43 W
• 20 В
• 8,7

• Vishay
• Полевые N-канальные
• 4 A
• 5,6 A
• 100 В
• 43 W
• 10 В
• 18 A
• 6,1

• A&O
• Полевые P-канальные
• 17 A
• 24 A
• 60 В
• 43 W
• 20 В
• 60 A
• 43